[发明专利]侧排型基板处理装置有效
申请号: | 201280068840.0 | 申请日: | 2012-11-23 |
公开(公告)号: | CN104105813B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 梁日光;宋炳奎;金劲勋;申良湜 | 申请(专利权)人: | 株式会社EUGENE科技 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/455;H01L21/205 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侧排型基板 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,该基板处理装置包括:
腔室本体,该腔室本体具有打开的上侧,该腔室本体提供一内部空间,在该内部空间中对于基板进行处理;
腔室盖,该腔室盖布置在所述腔室本体的上部,以关闭所述腔室本体的所述打开的上侧;以及
喷洒头,该喷洒头布置在所述腔室盖的下部,以朝向所述内部空间供应处理气体,
其中,所述腔室本体包括:
至少一个会聚口,该会聚口沿着所述腔室本体的侧壁的内侧布置,以允许所述内部空间内的处理气体会聚;
多个内部排气孔,这多个内部排气孔沿着所述腔室本体的所述侧壁限定,以与所述会聚口及所述内部空间连通;以及
多个内部排气口,这多个内部排气口连接至所述会聚口。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,该基板处理装置还包括一承座,所述基板被装载在该承座的顶面上,该承座能通过其升高而在装置位置与处理位置之间改变位置,所述基板在所述装载位置被装载,在所述处理位置对所述基板进行处理,并且
所述内部排气孔被布置在处于所述处理位置的所述承座的上部与所述喷洒头之间。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述腔室本体具有限定于其侧壁内的通道,以允许所述基板通过该通道进入所述内部空间中,并且
所述会聚口与所述内部排气孔都布置在所述通道的上方。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,根据与所述内部排气口的相隔距离,所述内部排气孔具有彼此不同的直径。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述内部排气孔的直径与和所述内部排气口的相隔距离成比例。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,该基板处理装置还包括布置于所述会聚口上的分配环,该分配环具有多个分配孔。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,根据与所述内部排气口的相隔距离,所述分配孔具有彼此不同的直径。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,所述分配孔的直径与和所述内部排气口的相隔距离成比例。
9.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,所述分配孔分别布置在所述内部排气孔之间。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述会聚口具有环形形状。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述会聚口从所述腔室本体的顶面凹入。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,该基板处理装置还包括口盖,所述口盖关闭所述会聚口的打开的上侧。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置,该基板处理装置还包括:
多个外部排气口,这多个外部排气口分别穿过所述腔室本体的外部连接至所述内部排气口;以及
主口,该主口连接至所述外部排气口。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置,该基板处理装置还包括:
流动控制阀,这些流动控制阀分别被布置在所述外部排气口上,以控制通过所述外部排气口排出的处理气体的流率;以及
控制器,该控制器连接至所述流动控制阀以控制这些流动控制阀,由此均匀地调整处理气体的排放量。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的