[发明专利]侧排型基板处理装置

说明书

技术领域

这里公开的本发明涉及基板处理装置，并且更具体地涉及侧排型基板处理装置。

背景技术

半导体装置及平板显示器都使用许多薄膜沉积处理以及蚀刻处理来制造。也就是，通过沉积处理在一基板上形成薄膜，然后通过蚀刻处理使用掩膜去除薄膜的不必要部分。因此，在该基板上形成所期望的预定图案或电路装置。

沉积处理可在真空状态下的处理腔室内执行。将基板装入处理腔室内。将喷洒头布置在该基板的上方，以将处理气体供应到该基板上。该处理气体沉积于该基板上以形成所期望的薄膜。

沉积处理与一排放处理一起执行。在该排放处理中，在沉积处理中产生的处理副产品以及未反应气体都排出到外面。

发明内容

技术问题

本发明提供一种侧排型基板处理装置。

本发明也提供一种这样的基板处理装置，该基板处理装置通过均匀的排气而确保沉积在基板上的薄膜的均匀性。

参阅下列详细说明以及附图将可清楚本发明的另外的其它目的。

技术方案

本发明的实施方式提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：腔室本体，该腔室本体具有打开的上侧，该腔室本体提供一内部空间，在该内部空间中对于基板进行处理；腔室盖，该腔室盖布置在所述腔室本体的上部，以关闭所述腔室本体的所述打开的上侧；以及喷洒头，该喷洒头布置在所述腔室盖的下部，以朝向所述内部空间供应处理气体，其中，所述腔室本体包括：至少一个会聚口，该会聚口沿着所述腔室本体的侧壁的内侧布置，以允许所述内部空间内的处理气体会聚；多个内部排气孔，这多个内部排气孔沿着所述腔室本体的所述侧壁限定，以与所述会聚口及所述内部空间连通；以及多个内部排气口，这多个内部排气口连接至所述会聚口。

在一些实施方式中，所述基板处理装置还可以包括一承座，所述基板被装载在该承座的顶面上，该承座能通过其升高而在装置位置与处理位置之间改变位置，所述基板在所述装载位置被装载，在所述处理位置执行与所述基板相关的处理，并且所述内部排气孔可以被布置在处于所述处理位置的所述承座的上部与所述喷洒头之间。

在其它实施方式中，所述腔室本体可以具有限定于其侧壁内的通道，以允许所述基板通过该通道进入所述内部空间中，并且所述会聚口与所述内部排气孔都可布置在所述通道的上方。

在又其它实施方式中，根据与所述内部排气口的相隔距离，所述内部排气孔可以具有彼此不同的直径。

在甚至其它实施方式中，所述内部排气孔的直径可以与和所述内部排气口的相隔距离成比例。

在另外其它实施方式中，所述基板处理装置还可以包括布置于所述会聚口上的分配环，该分配环具有多个分配孔。

在其它实施方式中，根据与所述内部排气口的相隔距离，所述分配孔可以具有彼此不同的直径。

在又其它实施方式中，所述分配孔的直径可以与和所述内部排气口的相隔距离成比例。

在甚至其它实施方式中，所述分配孔可以分别布置在所述内部排气孔之间。

在又其它的实施方式中，所述会聚口可以具有环形形状。

在更进一步的实施方式中，所述会聚口可以从所述腔室本体的顶面凹入。

在又更进一步的实施方式中，所述基板处理装置还可以包括口盖，所述口盖关闭所述会聚口的打开的上侧。

在甚至更进一步的实施方式中，所述基板处理装置还可以包括：多个外部排气口，这多个外部排气口分别穿过所述腔室本体的外部连接至所述内部排气口；以及主口，该主口连接至所述外部排气口。

在又更进一步的实施方式中，所述基板处理装置还可以包括：流动控制阀，这些流动控制阀分别被布置在所述外部排气口上，以控制通过所述外部排气口排出的处理气体的流率；以及控制器，该控制器连接至所述流动控制阀以控制这些流动控制阀，由此均匀地调整处理气体的排放量。

有益效果

本发明通过侧排方式，将处理副产品和未反应气体排出到处理腔室的外部，特别是通过均匀的排放能够确保沉积于基板上的薄膜的均匀性。

附图说明

在此包括附图来进一步了解本发明，并且这些附图并入以及构成此说明书的一部分。这些附图示出了本发明的示例性实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明原理。在附图中：

图1为根据本发明的实施方式的基板处理装置的示意图；

图2为示出了图1中的内部排气孔、分配环以及内部排气口的剖面图；

图3为示出了图1中的一腔室本体的下部的视图；

图4和图5为示出了处理气体的流动的视图；以及