[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板(SUB)，具有主表面；以及

绝缘栅极双极型晶体管，形成于所述主表面，

所述绝缘栅极双极型晶体管还包括：

第1导电类型的集电极区域(CR)，形成于所述主表面；

第1导电类型的基极区域(BR、BCR)，与所述集电极区域(CR)分开地形成于所述主表面；以及

第2导电类型的发射极区域(ER)，形成于所述基极区域(BR、BCR)内的所述主表面，

所述半导体装置还具备：

发射极用导电层(PR2)，与所述绝缘栅极双极型晶体管的所述基极区域(BR、BCR)以及所述发射极区域(ER)这两者连接，并且在与所述基极区域(BR、BCR)以及所述发射极区域(ER)这两者之间构成发射极连接部；以及

集电极用导电层(PR1)，与所述绝缘栅极双极型晶体管的所述集电极区域(CR)连接，并且在与所述集电极区域(CR)之间构成集电极连接部，

所述集电极用导电层(PR1)通过多个接触部对所述集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)进行连接，

针对1个所述集电极用活性区域(CRa)的所述集电极用导电层(PR1)的所述接触部的个数多于针对所述基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的所述发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述基极区域(BR、BCR)和所述发射极用导电层(PR2)的所述发射极连接部的面积(SB11)相对所述基极区域(BR、BCR)的所述主表面中的面积(SA11)之比(SB11/SA11)大于所述集电极区域(CR)和所述集电极用导电层(PR1)的所述集电极连接部的面积(SB12)相对所述集电极区域(CR)的所述主表面中的面积(SA12)之比(SB12/SA12)。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极连接部具有孔接触构造，所述发射极连接部具有线接触构造。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极连接部具有分割线接触构造，该分割线接触构造具有相互分离并且相互串联地配置了的多个线接触部(CH1a)，

所述发射极连接部具有线接触构造。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极连接部具有孔接触构造，

所述发射极连接部具有分割线接触构造，该分割线接触构造具有相互分离并且相互串联地配置了的多个线接触部(CH2a)。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极连接部以及所述发射极连接部分别具有孔接触构造，

所述集电极连接部的所述孔接触构造中的孔间距大于所述发射极连接部的所述孔接触构造中的孔间距。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述集电极连接部以及所述发射极连接部分别具有孔接触构造，

所述集电极连接部的所述孔接触构造中的孔径小于所述发射极连接部的所述孔接触构造中的孔径。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备形成于所述主表面的元件分离构造(ES)，

所述集电极区域(CR)包括通过所述元件分离构造(ES)而相互分离了的多个集电极用活性区域(CRa)。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置还具备形成于所述主表面的第2导电类型的杂质区域(NHR)，

所述集电极区域(CR)包括通过所述杂质区域(NHR)而相互分离了的多个集电极用活性区域(CRa)。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射极连接部具有线接触构造，

所述发射极连接部的所述线接触构造具有相互分离并且相互串联地配置了的多个线接触部(CH2a)，

仅第2导电类型的所述发射极区域(ER)位于分离部分(SR)的正下方，该分离部分(SR)位于相互串联地配置了的所述多个线接触部(CH2a)之间。