[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置，涉及具有例如绝缘栅极双极型晶体管的半导体装置。

背景技术

以往已知横向(横向型)的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，例如在日本特开2001-203358号公报(专利文献1)、日本特开平8-274308号公报(专利文献2)中公开。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2001-203358号公报

专利文献2：日本特开平8-274308号公报

发明内容

为了变更横向IGBT的电流、导通耐压这样的特性，需要进行元件尺寸的变更、注入布局的变更、杂质注入条件的变更这样的大规模的变更和最佳化。因此，开发所有相应于各个要求的元件的做法存在开发上的负荷大这样的问题。

其他课题和新的特征根据本说明书的叙述以及附图将更加明确。

根据一个实施方式的半导体装置，集电极用导电层通过多个接触部对集电极区域中包含的1个集电极用活性区域进行连接。针对1个集电极用活性区域的集电极用导电层的接触部的个数多于针对基极区域中包含的1个基极用活性区域的发射极用导电层的接触部的个数。

根据所述一个实施方式，在绝缘栅极双极型晶体管的发射极和集电极中，通过变更各自的导电层和连接部的面积，能够容易地改善绝缘栅极双极型晶体管的特性，所以能够得到无需大规模的变更而开发上的负荷小的半导体装置。

另外，通过多个接触部对1个集电极用活性区域进行连接，所以能够分散电流路径，并且能够分散少数载流子的注入。

附图说明

图1是示出在将实施方式1中的半导体装置应用于PDP(Plasma Display Panel)扫描驱动器的情况下的电路的图。

图2是在将实施方式1中的半导体装置应用于PDP扫描驱动器的情况下的芯片整体的平面布局的示意图(A)、和(A)的1bit的平面布局的示意图(B)。

图3是概略地示出图1以及图2的IGBT的结构的俯视图。

图4是将图3的IGBT放大示出的俯视图。

图5是沿着图4的V-V线的概略剖面图。

图6是沿着图4的VI-VI线的概略剖面图。

图7是示出实施方式1中的半导体装置的接触面积相对基极接触区域的面积之比与线性电流(Ilin)的关系的图。

图8是示出实施方式1中的半导体装置的接触面积相对基极接触区域的面积之比与饱和电流(Isat)的关系的图。

图9是示出实施方式1中的半导体装置的接触面积相对基极接触区域的面积之比与导通耐压(BVon)的关系的图。

图10是示出实施方式1中的半导体装置的接触面积相对集电极区域的面积之比与线性电流的关系的图。

图11是示出实施方式1中的半导体装置的接触面积相对集电极区域的面积之比与饱和电流的关系的图。

图12是示出实施方式1中的半导体装置的接触面积相对集电极区域的面积之比与导通耐压的关系的图。

图13是用于说明在基极接触区域中的接触面积大的情况下IGBT的特性变化的概略剖面图。

图14是用于说明在基极接触区域中的接触面积小的情况下IGBT的特性变化的概略剖面图。

图15是用于说明在集电极区域中的接触面积大的情况下IGBT的特性变化的概略剖面图。

图16是示出对集电极区域施加了正向偏置时的少数载流子密度的分布的图。

图17是用于说明在集电极区域中的接触面积小的情况下IGBT的特性变化的概略剖面图。

图18是示出在集电极侧的接触部具有线宽大的线接触构造、发射极侧的接触部具有线宽小的线接触构造的情况下的IGBT的结构的概略俯视图。

图19是示出在集电极侧的接触部具有线接触构造、发射极侧的接触部具有孔接触构造的情况下的IGBT的结构的概略俯视图。

图20是示出在集电极侧的接触部具有线接触构造、发射极侧的接触部具有分割线接触构造的情况下的IGBT的结构的概略俯视图。

图21是示出在集电极侧的接触部具有分割线接触构造、发射极侧的接触部具有孔接触构造的情况下的IGBT的结构的概略俯视图。

图22是示出在集电极侧的接触部具有孔间距小的孔接触构造、发射极侧的接触部具有孔间距大的孔接触构造的情况下的IGBT的结构的概略俯视图。