[发明专利]用于溅射沉积的微型可旋转式溅射装置有效
申请号: | 201280071216.6 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN104160471B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | T·德皮施;F·施纳朋伯格;A·洛珀;A·弗洛克;G·格里施 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/34 | 分类号: | H01J37/34;H01J37/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 溅射 沉积 微型 旋转 装置 | ||
1.一种用于在腹板上沉积沉积材料的沉积设备,所述沉积设备包含:界定第一可旋转式溅射装置的第一轴的第一溅射装置支撑件、界定第二可旋转式溅射装置的第二轴的第二溅射装置支撑件、用于导向待涂覆的所述腹板的涂覆鼓及涂覆窗,其中所述涂覆窗界定在腹板平面内且提供在200mm至250mm之间的宽度,
其中所述第一溅射装置支撑件及所述第二溅射装置支撑件经调适成支撑所述第一可旋转式溅射装置及所述第二可旋转式溅射装置以在涂覆鼓上提供待沉积于所述腹板上的所述沉积材料的至少一组分,且其中所述第一溅射装置支撑件及所述第二溅射装置支撑件经调适成对于一个涂覆窗提供所述第一溅射装置支撑件上的仅一个第一可旋转式溅射装置及所述第二溅射装置支撑件上的仅一个第二可旋转式溅射装置,
且其中,所述第一轴与所述第二轴之间的距离小于200mm。
2.如权利要求1所述的沉积设备,其中所述沉积设备经调适成使用所述第一可旋转式溅射装置及所述第二可旋转式溅射装置中的一个可旋转式溅射装置作为阳极,及使用所述第一可旋转式溅射装置及所述第二可旋转式溅射装置中的另一可旋转式溅射装置作为阴极。
3.如权利要求1所述的沉积设备,其中用于产生第一磁场的第一磁铁配置系布置在所述第一可旋转式溅射装置中且用于产生第二磁场的第二磁铁配置系布置在所述第二可旋转式溅射装置中,其中所述第一磁铁配置及所述第二磁铁配置经调适以增加沉积材料在所述涂覆窗中的沉积。
4.如权利要求3所述的沉积设备,其中所述第一可旋转式溅射装置及所述第二可旋转式溅射装置经布置以便以朝向彼此倾斜的方式布置所述第一磁铁配置及所述第二磁铁配置。
5.如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备,其中所述第一溅射装置支撑件及所述第二溅射装置支撑件中的至少一者经调适以保持可旋转式溅射装置,所述可旋转式溅射装置具有在100mm与120mm之间的外直径。
6.如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备,其中所述第一溅射装置支撑件及所述第二溅射装置支撑件中的至少一者经调适以保持可旋转式溅射装置,所述可旋转式溅射装置具有105mm的外直径。
7.如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备,其中所述第一溅射装置支撑件及所述第二溅射装置支撑件经调适成为一个涂覆窗提供在所述第一溅射装置支撑件中的仅一个第一可旋转式溅射装置及在所述第二溅射装置支撑件中的仅一个第二可旋转式溅射装置。
8.如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备,其中所述第一溅射装置支撑件经调适以保持所述第一可旋转式溅射装置且所述第二溅射装置支撑件经调适以保持所述第二可旋转式溅射装置,且其中所述第一可旋转式溅射装置及所述第二可旋转式溅射装置形成双溅射装置。
9.如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备,其中所述待沉积的材料为绝缘材料。
10.如权利要求1至4中任一项所述的沉积设备,其中所述待沉积的材料为选自以下群组的材料:氧化硅、氮化硅、氧化钛及氧化铝。
11.一种用于在腹板上沉积沉积材料的沉积设备,包括:
涂覆鼓,用于在将所述材料沉积于所述腹板上的期间导向所述腹板;
界定第一可旋转式溅射装置的第一轴的第一溅射装置支撑件以及界定第二可旋转式溅射装置的第二轴的第二溅射装置支撑件,其中所述第一溅射装置支撑件及所述第二溅射装置支撑件经调适成支撑第一可旋转式溅射装置及第二可旋转式溅射装置以提供待沉积于所述腹板上的所述沉积材料的至少一组分;以及
涂覆窗,所述涂覆窗是所述沉积设备内的区域,当第一可旋转式溅射装置和第二溅射可旋转式装置分别安装至所述第一溅射装置支撑件和所述第二溅射装置支撑件时,自所述第一可旋转式溅射装置和所述第二可旋转式溅射装置释放的材料经由所述区域到达所述腹板,其中所述涂覆窗界定在腹板平面内且提供在200mm至250mm之间的宽度,
其中,所述第一轴与所述第二轴之间的距离小于200mm。
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