[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具备：

第1导电型的半导体基板(1)，其划分出活性区域(11)和终端区域(51)，该终端区域(51)与该活性区域隔离而包围该活性区域的外侧；

半导体元件(14)，其形成在所述活性区域中；以及

第2导电型的多个杂质层(38-1、38-2、38-3、38-4)，它们至少部分重叠地形成在所述活性区域的端部和所述终端区域之间的所述半导体基板的表面内，

对于所述多个杂质层中任意相邻的2个第i杂质层以及第i+1杂质层，在将所述第i杂质层以及第i+1杂质层的所述半导体基板表面处的所述第2导电型的杂质浓度即表面浓度分别设为P(i)、P(i+1)，将从所述半导体基板表面至所述第i杂质层以及第i+1杂质层的下端为止的距离即下端距离分别设为D(i)、D(i+1)，将从所述终端区域的所述活性区域侧的端末至所述第i杂质层以及第i+1杂质层的所述终端区域侧的端末为止的距离分别设为B(i)、B(i+1)的情况下，满足P(i)＞P(i+1)、D(i)＜D(i+1)、B(i)＜B(i+1)，

所述多个杂质层中所述下端距离最大的杂质层(38-4)的所述表面浓度是所述半导体基板的所述第1导电型的杂质浓度的10～1000倍，该杂质层(38-4)的所述下端距离是15～30μm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备：

所述第1导电型的第1背面杂质层，其形成在所述半导体基板的背面上；

所述第2导电型的第2背面杂质层，其在预先确定的区域中形成在所述第1背面杂质层上，该预先确定的区域是除了所述终端区域的所述半导体基板端侧的区域以外的、包含所述活性区域内部的区域在内的区域；以及

电极，其形成在除了所述预先确定的区域以外的所述第1背面杂质层上，并且在所述预先确定的区域中形成在所述第2背面杂质层上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备：

所述第1导电型的第1背面杂质层，其形成在所述半导体基板的背面上；

所述第2导电型的第2背面杂质层，其在预先确定的区域中形成在所述第1背面杂质层上，该预先确定的区域是除了所述终端区域的所述半导体基板端侧的区域以外的、包含所述活性区域内部的区域在内的区域；以及

电极，其不形成在所述第1背面杂质层上，而在所述预先确定的区域中形成在所述第2背面杂质层上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备：

所述第1导电型的第1背面杂质层，其形成在所述半导体基板的背面上；

所述第2导电型的第2背面杂质层，其在预先确定的区域中形成在所述第1背面杂质层上，该预先确定的区域是除了所述终端区域的所述半导体基板端侧的区域以外的、包含所述活性区域内部的区域在内的区域；

所述第2导电型的第3背面杂质层，其形成在除了所述预先确定的区域以外的所述第1背面杂质层上，与所述第2背面杂质层相比，杂质浓度低；以及

电极，其形成在除了所述预先确定的区域以外的所述第3背面杂质层上，并且，在所述预先确定的区域中形成在所述第2背面杂质层上。