[发明专利]真空吸附台、半导体晶片的切割方法以及退火方法

权利要求书

1.一种真空吸附台(1、21、31)，

其具有载置半导体晶片(6、20、56)的载置面(1a、21a、21b、31a)，

在所述载置面(1a、21a、21b、31a)上，仅在所述半导体晶片(6、20、56)的芯片区域(6a)的外周形成真空吸附孔(2、22、32)。

2.一种真空吸附台(21)，

其具有载置半导体晶片(20)的载置面(21a、21b)，

所述载置面(21a、21b)具有：

第1区域(21a)，其用于设置所述真空吸附孔(22)；以及

第2区域(21b)，其被所述第1区域(21a)包围，与所述第1区域(21a)相比以阶梯差状凸出。

3.一种半导体晶片的切割方法，其是利用权利要求1所述的真空吸附台(1、21)的半导体晶片的切割方法，

该切割方法具有：

(a)将粘贴有切割胶带(8)的半导体晶片(6、20)以所述切割胶带(8)向下的方式载置于所述真空吸附台(1、21)上的工序：以及

(b)在所述工序(a)之后，利用喷水诱导激光将所述半导体晶片(6、20)切割为芯片的工序。

4.一种半导体晶片的切割方法，其是利用权利要求2所述的真空吸附台(21)的半导体晶片的切割方法，

该切割方法具有：

(a)将半导体晶片(20)载置于所述真空吸附台(21)上的工序，其中，所述半导体晶片(20)具有与所述真空吸附台(21)的所述载置面(21a、21b)的阶梯差对应的形状的下表面，在该下表面粘贴有切割胶带(8)，以所述切割胶带(8)向下并且使所述半导体晶片(20)与所述阶梯差匹配的方式载置于所述真空吸附台(21)上；以及

(b)在所述工序(a)之后，利用喷水诱导激光切割所述半导体晶片(20)的工序。

5.一种半导体晶片的退火方法，其是利用权利要求1所述的真空吸附台(31)的半导体晶片的退火方法，

该退火方法具有：

(a)对半导体晶片(20、56)的第1主面粘贴磨削保护胶带(50)，并对与所述第1主面相向的第2主面进行磨削的工序；

(b)在所述工序(a)之后，以所述磨削保护胶带(50)向下的方式将所述半导体晶片(20、56)载置于所述真空吸附台(31)上的工序；以及

(c)在所述工序(b)之后，对所述半导体晶片(20、56)的所述第2主面进行激光退火的工序。