[发明专利]真空吸附台、半导体晶片的切割方法以及退火方法

说明书

技术领域

本发明涉及对半导体晶片进行真空吸附的真空吸附台以及利用该真空吸附台的切割以及退火方法。

背景技术

作为利用半导体工艺将Si半导体晶片等半导体晶片制成芯片的方法，存在利用刀片切断的方法和利用激光切断的方法。利用激光的切断的方法中的一种是在直径数十μm的高压水柱中导入激光而切断半导体基板的方法(参照专利文献1)。在该方法中，具有如下优点，即，能够利用水抑制切断面的温度上升，并且能够利用水流将被加工物的切屑排出。

专利文献1：日本专利第3680864号公报

发明内容

在上述方法中，将作为被加工物的半导体晶片粘贴在切割胶带的中央，并将该半导体晶片放置在半导体晶片载置台上，其中，该切割胶带保持在环状的安装框架上。在半导体晶片载置台形成有直径数百μm的真空吸附孔，由此在将半导体晶片固定在半导体晶片载置台的状态下进行切断加工。

此时，在切割胶带的与真空吸附孔接触的部分产生对真空吸附孔拉伸的力。在此基础上，切断半导体晶片后的水柱的高压施加在切割胶带上，由此切割胶带变形，有时甚至切断。此外，此时激光的大部分从透明的切割胶带穿过，因此激光对切割胶带的损伤不大。

如上所述，存在如下问题，如果切割胶带在真空吸附孔侧变形，并被挤压向真空吸附孔侧，则在半导体晶片的背面和切割胶带之间产生间隙，因此在切断时所产生的切屑积存于该间隙而污染半导体芯片的背面。另外，在切割胶带切断的情况下，产生如下问题，后续工序的扩张(expand)无法进行，无法从切割胶带拾取芯片。

鉴于上述的问题点，本发明的目的在于提供一种在切割时抑制切割胶带的破损的真空吸附台以及利用该真空吸附台的半导体晶片的切割方法。并且，本发明的目的还在于提供一种抑制磨削保护胶带的发泡的、使用该真空吸附台的半导体晶片的退火方法。

本发明的真空吸附台具有载置面，该载置面载置半导体晶片，在载置面中，仅在半导体晶片的芯片区域的外周形成真空吸附孔。

发明的效果

本发明的真空吸附台具有载置面，该载置面载置半导体晶片，在载置面中，仅在半导体晶片的芯片区域的外周形成真空吸附孔，因此在利用该真空吸附态切割半导体晶片时，切割线和真空吸附孔的位置不重叠。由此，抑制切割胶带的损坏。

通过以下的详细说明和附图，使本发明的目的、特征、实施方式以及优点变得更清楚。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的真空吸附台的俯视图。

图2是实施方式1所涉及的真空吸附台的剖面图。

图3是表示利用实施方式1所涉及的真空吸附台切割半导体晶片的情形的图。

图4是挖空背面的一部分后的半导体晶片的剖面图。

图5是表示将挖空背面的一部分后的半导体晶片粘贴在切割框架的状态的剖面图。

图6是实施方式2所涉及的真空吸附台的俯视图。

图7是实施方式2所涉及的真空吸附台的剖面图。

图8是表示利用实施方式2所涉及的真空吸附台切割半导体晶片的情形的图。

图9是实施方式3所涉及的真空吸附台的俯视图。

图10是实施方式3所涉及的真空吸附台的剖面图。

图11是表示利用实施方式3所涉及的真空吸附台对半导体晶片进行激光退火的情形的图。

图12是表示利用实施方式3所涉及的真空吸附台对半导体晶片进行激光退火的情形的图。

图13是前提技术1所涉及的真空吸附台的俯视图。

图14是前提技术1所涉及的真空吸附台的剖面图。

图15是表示在切割框架搭载有半导体晶片的状态的俯视图。

图16是表示在切割框架搭载有半导体晶片的状态的剖面图。

图17是表示在前提技术1所涉及的真空吸附台搭载有切割框架的状态的剖面图。

图18是表示利用前提技术1所涉及的真空吸附台切割半导体晶片的情形的剖面图。

图19是表示利用前提技术1所涉及的真空吸附台切割半导体晶片的情形的剖面图。

图20是前提技术2所涉及的真空吸附台的俯视图。

图21是前提技术2所涉及的真空吸附台的剖面图。

图22是表示粘贴有磨削保护胶带的半导体晶片的剖面图。

图23是表示粘贴有磨削保护胶带的半导体晶片的剖面图。

图24是表示粘贴有磨削保护胶带的半导体晶片的剖面图。