[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用处理液对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

专利文献1公开一种基板处理装置，具有：基板保持部，其将基板保持为水平姿势；板，其具有隔开规定间隔与基板的主面相向的基板相向面。在基板相向面的与基板的主面中心相向的部分形成有用于供给处理液的喷出口。从喷出口向基板的主面与基板相向面之间的空间供给的处理液在该空间内扩散，使该空间成为被液体密封的状态。

根据该结构，能够以小的处理液流量，使处理液遍及基板的整个主面。因此，能够抑制处理液的消耗量，从而能够降低运营成本。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2008-227386号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，在专利文献1的结构中，喷出口与基板的主面中心相向，从喷出口喷出的处理液首先与基板的主面中心碰触。因此，如下所述，不能够使处理在面内均匀。

图24是用于说明在使用蚀刻液作为处理液的情况下，在基板的旋转中心(中间)和周端部(边缘)上进行的蚀刻处理的差异的模型图。横轴为距离蚀刻液喷出开始的时间，纵轴为蚀刻量。

若蚀刻液(处理液)向基板的旋转中心供给，则直到该蚀刻液借助离心力而到达基板的周端部为止，存在时间差。因此，开始在周端部进行蚀刻的时间晚于开始在旋转中心进行蚀刻的时间。在延迟时间内，在旋转中心进行了蚀刻量ΔE的蚀刻，该蚀刻量ΔE是中间和边缘之间的蚀刻量的差值。即使使蚀刻液喷出时间变长，也不能消除该差值。

另一方面，本发明人发现，在减少蚀刻液(处理液)的喷出流量(例如0.25升/分钟)来降低蚀刻液的消耗量的情况下，在基板面内的蚀刻的均匀性与基板的转速相关。具体地说，若基板的转速快(例如1000rpm左右)，则如图25所示，基板旋转中心(中间)处的蚀刻量直线与基板周端部(边缘)处的蚀刻量直线不平行。具体地说，旋转中心的蚀刻率大于周端部的蚀刻率。因此，随着蚀刻液喷出时间变长，蚀刻量的差值变大。

这样的问题是通用的问题，即，在基板面内的处理量的差异不仅在使用蚀刻液作为处理液的情况下存在，在使用清洗液或抗蚀剂剥离液等作为处理液的情况下也存在。

因此，本发明的目的在于提供一种能够降低运营成本且能够提高在面内进行的基板处理的均匀性的基板处理装置以及基板处理方法。

用于解决问题的手段

本发明的基板处理装置具有：基板保持单元，其将基板保持为水平姿势；板，其具有水平且平坦的液体保持面，所述液体保持面具有与被所述基板保持单元保持的基板的主面相同或比该主面大的大小，且与所述基板的主面的下方相向；处理液供给单元，其用于向所述液体保持面供给处理液；移动单元，其使所述基板保持单元以及所述板相对移动，来使所述基板的主面与所述液体保持面接近或分离；控制单元，其控制所述处理液供给单元以及所述移动单元，执行处理液液膜形成工序、接触工序和接触维持工序，在所述处理液液膜形成工序中，通过所述处理液供给单元向所述液体保持面供给处理液，在所述液体保持面上形成处理液液膜，在所述接触工序中，通过所述移动单元使所述基板的主面与所述液体保持面接近，来使基板的主面与所述处理液液膜接触，所述接触维持工序在所述接触工序后执行，在所述接触维持工序中，维持处理液与所述基板的主面接触的状态。

根据该结构，在与基板的主面相向的板的液体保持面上形成处理液的液膜，另外，使基板的主面与液体保持面接近，使基板的主面与处理液的液膜接触，由此，基板的主面的整个区域同时与处理液接触。由此，能够在基板主面的整个面(整个区域)上，使处理液的处理实质上同时开始。此后，通过维持该处理液的接触状态，在基板的主面上进行处理液的处理。在基板的主面与处理液接触后，还能够以小流量从处理液供给单元供给处理液，或者停止从处理液供给单元供给处理液，因此，能够在不损害基板主面内的处理均匀性的情况下，抑制处理液的消耗量。由此，能够降低运营成本且提高基板处理的面内均匀性。

在本发明的一实施方式中，在所述液体保持面形成有用于喷出处理液的处理液喷出口，所述处理液供给单元使处理液从所述处理液喷出口喷出。