[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置具有大于或等于目标耐压的耐压，在硅衬底设置形成有晶体管的激活区域、和配置在所述激活区域的周围的终端区域，

该半导体装置的特征在于，

所述终端区域具有环状区域，

在所述环状区域，周期性地并排设置环状的多个P型环层，

所述环状区域被分为分别包含所述多个P型环层的多个单元，

各单元的宽度是固定的，

将所述环状区域内的P型杂质总数设为N、所述目标耐压设为BV[V]、各单元的宽度设为SandL[μm]、所述多个单元的数量设为num，并满足下述关系，

N≥(M×BV)^γ、M＝10⁴～10⁵、γ＝0.55～1.95

SandL×num×Ecri≥2×α×BV

Ecri＝2.0～3.0×10⁵[V/cm]、α＝10⁰～10¹

所述多个单元的所述P型环层的宽度朝向所述终端区域的外侧线性地变小。

2.一种半导体装置，该半导体装置具有大于或等于目标耐压的耐压，在硅衬底设置形成有晶体管的激活区域、和配置在所述激活区域的周围的终端区域，

该半导体装置的特征在于，

所述终端区域具有多个环状区域，

在各环状区域，周期性地并排设置环状的多个P型环层，

各环状区域被分为分别包含所述多个P型环层的多个单元，

在同一环状区域内，各单元的宽度是固定的，

将所述多个环状区域中的第i个环状区域内的P型杂质总数设为N(i)、所述目标耐压设为BV[V]、所述第i个环状区域所分担的耐压设为BV(i)[V]、所述第i个环状区域的各单元的宽度设为SandL(i)[μm]、所述第i个环状区域内的所述多个单元的数量设为num(i)，并满足下述关系，

N(i)≥(M×BV(i))^γ、M＝10⁴～10⁵、γ＝0.55～1.95

Σ[SandL(i)×num(i)×Emax(i)]≥2×α×BV

BV＝ΣBV(i)、Emax(i)≤Ecri、Ecri＝2.0～3.0×10⁵[V/cm]、α＝10⁰～10¹

所述多个单元的所述P型环层的宽度朝向所述终端区域的外侧线性地变小。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述P型环层具有在俯视上周期性地配置的多个条纹构造。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述P型环层具有在俯视上周期性地配置的多个斑点构造。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述终端区域还具有P型层，该P型层与所述环状区域的至少一部分重叠，

所述P型层的表面浓度比所述P型环层的表面浓度小，

所述P型层的深度比所述P型环层的深度深。