[其他]半导体元件冷却结构以及具有其的电子设备有效
| 申请号： | 201290001387.7 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN204885821U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 增田直树 | 申请（专利权）人： | NEC显示器解决方案株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;G03B21/14;H01L23/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁山;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 冷却 结构 以及 具有 电子设备 | ||
1.一种用于冷却半导体元件的半导体元件冷却结构，包括：
热接收单元，所述热接收单元配置为接收从所述半导体元件发出的热；以及
热辐射单元，所述热辐射单元配置为辐射来自所述热接收单元的热，其中：
所述热接收单元包括元件接触部分和热扩散部分，所述元件接触部分具有接触表面，所述半导体元件的一个表面适配到所述接触表面，所述热扩散部分与所述元件接触部分和所述热辐射单元接触；
所述元件接触部分包括空间部分；
所述接触表面包括通孔，所述通孔与所述空间部分连通并且所述半导体元件的端子通过所述通孔插入；并且
所述空间部分容纳基板，所述半导体元件的所述端子连接到所述基板。
2.根据权利要求1所述的半导体元件冷却结构，其中，所述元件接触部分和所述热扩散部分一体形成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体元件冷却结构，其中，所述热扩散部分在从所述空间部分到所述热辐射单元的方向上的厚度是3mm到8mm。
4.根据权利要求2所述的半导体元件冷却结构，其中，所述热接收单元和所述热辐射单元一体形成。
5.根据权利要求2所述的半导体元件冷却结构，其中，所述热接收单元和所述热辐射单元通过导热物质彼此接触。
6.根据权利要求1所述的半导体元件冷却结构，其中，所述基板包括插座，所述端子插入所述插座内。
7.根据权利要求1所述的半导体元件冷却结构，其中，所述热辐射单元包括多个鳍片。
8.根据权利要求1所述的半导体元件冷却结构，其中，所述半导体元件是发光元件。
9.一种包括根据权利要求1所述的半导体元件冷却结构的电子设备。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，所述电子设备是投射式显示设备。
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