[其他]半导体元件冷却结构以及具有其的电子设备有效

专利信息
申请号: 201290001387.7 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN204885821U 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 增田直树 申请(专利权)人: NEC显示器解决方案株式会社
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024;G03B21/14;H01L23/36
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 鲁山;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 元件 冷却 结构 以及 具有 电子设备
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种用于冷却半导体元件的结构,以及具有该结构的电子设备,特别是投射式显示设备。

背景技术

一般而言,半导体元件用于电子设备。用于投射图像的投射式显示设备包括诸如发光元件或图像形成元件的半导体元件。这样的半导体元件在操作时产生热。

上升了的半导体元件的温度可能使得半导体元件不能正常操作。特别地,当用作投射式显示设备的光源的发光元件的温度上升时,发光元件的发光效率下降,从而阻碍了发光元件供应足量的光。所以,投射图像的亮度降低。因此,已经提出了用于冷却半导体元件的结构(下文中,称为“半导体元件冷却结构”)。

JP2012-9760A(下文中,称为“专利文献1”)公开了半导体元件冷却结构的示例。下文中,将描述专利文献1中公开的半导体元件冷却结构。

半导体元件冷却结构包括作为半导体元件的发光元件,以及由诸如铝或铜的金属材料制作的散热器。发光元件包括从元件本体的底部表面延伸的引线端子,该引线端子电气连接到基板。基板容纳在形成于散热器的前侧的U形凹槽中,并且元件本体的底部表面与散热器的前侧接触。散热器从元件本体吸收并排出热,从而冷却了发光元件。

基板沿着引线端子的延伸方向设置。因此,凹槽的开口能相对小,元件本体的底部表面与散热器的前侧接触的部分(下文中,称为“接触部分”)的面积可以相对大。接触部分的大面积促进了元件本体的热向散热器的移动,从而促进了发光元件的冷却。

引用列表

专利文献1:JP2012-9760A

实用新型内容

然而,在专利文献1公开的半导体元件冷却结构中,用于容纳基板的空间限定为U形凹槽。这对凹槽的开口的尺寸减小带来了限制。所以,接触部分不能形成得足够大,作为半导体元件的发光元件也不能得到满意的冷却。

本实用新型的目标的示例是,提供能够更有效地冷却半导体元件的半导体元件冷却结构。

技术方案

根据本实用新型的一个方面,提供了一种用于冷却半导体元件的半导体元件冷却结构。该半导体元件冷却结构包括热接收单元和热辐射单元。热接收单元配置为接收从半导体元件发出的热。热辐射单元配置为辐射来自热接收单元的热。热接收单元包括元件接触部分和热扩散部分,元件接触部分具有接触表面,半导体元件的一个表面适配到该接触表面,热扩散部分与元件接触部分和热辐射单元接触。元件接触部分包括空间部分。接触表面包括通孔,通孔与空间部分连通并且半导体元件的端子通过通孔插入。空间部分容纳基板,半导体元件的端子连接到基板。

有益效果

根据本实用新型,半导体元件可以得到更有效的冷却。

附图说明

[图1]示出投射式显示设备的内部的主视图。

[图2]示出根据本实用新型的第一实施例的半导体元件冷却结构的透视图。

[图3]示出根据第一实施例的半导体元件冷却结构的分解透视图。

[图4]示出根据第一实施例的半导体元件冷却结构的正视图。

[图5]沿着图4中所示的根据第一实施例的半导体元件冷却结构的线X-X切割的剖视图。

[图6]沿着图4中所示的根据第一实施例的半导体元件冷却结构的线Y-Y切割的剖视图。

[图7]详细示出图5中示出的Z部分的放大图。

[图8]示出根据本实用新型的第二实施例的半导体元件冷却结构的透视图。

[图9]示出在基块与辐射鳍片块彼此分开的情况下的半导体元件冷却结构44的透视图。

[图10]示出根据本实用新型的第三实施例的半导体元件冷却结构的透视图。

具体实施方式

接下来,将参考附图具体描述本实用新型的实施方式。

首先,将参考图1描述具有半导体元件冷却结构的投射式显示设备的示例。图1是示出投射式显示设备的内部的主视图。注意,图1没有示出半导体元件冷却结构。

如图1所示,投射式显示设备1包括发光元件2,诸如激光二极管。从发光元件2发射的激光束穿过会聚透镜3至5、二向色镜6以及会聚透镜7和8,以施加到涂有荧光体的轮板9。轮板9的荧光体在受到激光束的辐照时发射可见光。

从荧光体发射的光穿过会聚透镜8和7,被二向色镜6反射以指向会聚透镜10,并且通过使用会聚透镜10而会聚在一点上。会聚在一点上的光施加到色轮11,并且通过使用色轮11而被时间上分开为多种颜色的光。

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