[发明专利]电子系统、射频功率放大器及其偏压点动态调整方法有效
申请号: | 201310001091.6 | 申请日: | 2013-01-04 |
公开(公告)号: | CN103916087B | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 丁兆明;刘谦晔 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/20;H03F3/189 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 赵根喜,吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 系统 射频 功率放大器 及其 偏压 动态 调整 方法 | ||
1.一种射频功率放大器,用以放大其所接收的射频输入信号,其特征在于,该射频功率放大器包括:
偏压电路,接收第一系统电压,并且该偏压电路根据该第一系统电压提供工作电压;
输出级电路,电性连接该偏压电路,该输出级电路接收该工作电压以工作在操作偏压点;以及
动态偏压控制电路,电性连接该偏压电路与该输出级电路之间,该动态偏压控制电路检测该射频输入信号并且根据该射频输入信号的变化输出补偿电压至该偏压电路,
其中,当该射频输入信号的输入功率增加而导致该操作偏压点偏移且该工作电压下降时,该偏压电路根据所接收的该补偿电压来调升该工作电压以回复或提升该操作偏压点,且
其中该偏压电路包括第一晶体管,其发射极连接接地电压,其基极连接该动态偏压控制电路以接收该补偿电压。
2.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,该偏压电路进一步包括:
第二晶体管,其基极连接该第一晶体管的集电极,其集电极连接该第一系统电压;
第一参考电阻,其一端连接该第一系统电压,其另一端连接该第二晶体管的基极,其中该第一参考电阻用以产生第一参考电流;
第一电阻,其一端连接该第二晶体管的发射极,其另一端连接该第一晶体管的基极;以及
第二电阻,其一端连接该第二晶体管的发射极,其另一端连接该输出级电路且输出该工作电压,
其中该第一参考电流等于该第一晶体管的集电极电流与该第二晶体管的基极电流的总和。
3.如权利要求2所述的射频功率放大器,其特征在于,当该射频输入信号的输入功率上升时,该第一晶体管的基极接收对应的该补偿电压且据此使得该第一晶体管的基极电流与集电极电流下降,进而使该第二晶体管的基极 电流与发射极电流上升,藉此来调升该工作电压以回复或提升该操作偏压点。
4.如权利要求1所述的射频功率放大器,其特征在于,该输出级电路包括:
第三晶体管,其基极接收该工作电压,其发射极连接该接地电压,其集电极连接第二系统电压,
其中在交流信号模式下,该第三晶体管用以放大其所接收的该射频输入信号并且于其集电极输出射频输出信号。
5.如权利要求2所述的射频功率放大器,其特征在于,该动态偏压控制电路包括:
第二参考电阻,其一端连接该第一系统电压,其另一端连接第四晶体管的集电极;
该第四晶体管的集电极连接该第二参考电阻的另一端,其发射极连接该接地电压,其基极接收该射频输入信号且用以检测该射频输入信号的变化,其中该第四晶体管作为功率检测晶体管;
第三电阻,其一端连接该第二电阻的一端,其另一端连接该第四晶体管的基极;
第五电阻,其一端连接该第三电阻的另一端,其另一端输出该补偿电压;
第一电容,其一端连接该第五电阻的另一端,其另一端连接该接地电压,其中该第一参考电阻的电阻值等于该第二参考电阻的电阻值,
其中该第五电阻与该第一电容用以滤除在交流信号模式下的高频信号。
6.如权利要求5所述的射频功率放大器,其特征在于,该第一电阻的电阻值等于该第三电阻的电阻值。
7.一种电子系统,其特征在于,该电子系统包括:
如权利要求1所述的射频功率放大器,该射频功率放大器接收射频输入信号且输出射频输出信号;以及
负载,耦接该射频功率放大器,该负载接收该射频输出信号,
其中当该射频输入信号的该输入功率增大时,则该射频功率放大器通过该补偿电压以稳定该操作偏压点。
8.如权利要求7所述的电子系统,其特征在于,该偏压电路包括:
第一晶体管,其发射极连接接地电压,其基极连接该动态偏压控制电路 以接收补偿电压;
第二晶体管,其基极连接该第一晶体管的集电极,其集电极连接该第一系统电压;
第一参考电阻,其一端连接该第一系统电压,其另一端连接该第二晶体管的基极,其中该第一参考电阻用以产生第一参考电流;
第一电阻,其一端连接该第二晶体管的发射极,其另一端连接该第一晶体管的基极;以及
第二电阻,其一端连接该第二晶体管的发射极,其另一端连接该输出级电路且输出该工作电压,
其中该第一参考电流等于该第一晶体管的集电极电流与该第二晶体管的基极电流的总和。
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