[发明专利]电子系统、射频功率放大器及其偏压点动态调整方法有效

专利信息
申请号: 201310001091.6 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN103916087B 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 丁兆明;刘谦晔 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/20;H03F3/189
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 赵根喜,吕俊清
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子 系统 射频 功率放大器 及其 偏压 动态 调整 方法
【说明书】:

技术领域

发明有关于一种射频功率放大器,且特别是关于一种具偏压点动态调整的射频功率放大器。

背景技术

随着网际网络发达之后,人们习惯于快速大量地接受信息,特别是在近几年来无线通信科技的进步,个人行动产品,如移动电话、个人数字助理等产品,以相当惊人的速度普及之后,人们希望能够掌握即时信息外,还希望能有即时的线上支援。因此,结合网际网络与无线通信的无线区域网络(Wireless Local Area Network,WLAN)与第三代(3G)/第四代(4G)网络正是满足人们这样需求的一个方案。

射频功率放大器在通信系统中扮演非常重要的角色。为了达到较好的功率附加效率(power-added efficiency,PAE),线性射频功率放大器通常会偏向AB类操作(class AB operation)。一般来说,当射频输入功率增加时,放大晶体管的顺向偏置PN结的平均压降会下降,并且将射频功率放大器推向B类操作(class B operation)甚至是C类操作(class C operation)而导致放大晶体管的输出功率变为饱和且输出信号渐渐变为非线性。

换句话说,在发射器中,射频功率放大器是最耗电的元件,其功率附加效率(power added efficiency,PAE)直接影响电池能维持的时间。AB类的直流偏压能改善功率放大器的功率附加效率,因为其有较低电平静置偏压电流(quiescent current),静置偏压电流亦即输入功率为零时的偏压电流。然而,当放大器的输出功率增加到某一电平(level)时,操作于AB类模式放大器的负载线(load line)可能进入截止区(cut off region),进而产生增益压缩(gain compression),此增益压缩导致输出功率饱和(saturation)。由于AB类放大器的直流操作点接近截止区,因此,当AB类放大器的输出功率增加至某一电平时,此截止区域的增益压缩机制将限制AB类放大器的功率增益(power gain)及输出功率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种射频功率放大器,用以放大其所接收的射频输入信号。射频功率放大器包括偏压电路、输出级电路与动态偏压控制电路。偏压电路接收第一系统电压,并且偏压电路根据第一系统电压提供工作电压。输出级电路电性连接偏压电路,所述输出级电路接收工作电压以工作在操作偏压点。动态偏压控制电路电性连接偏压电路与输出级电路之间,所述动态偏压控制电路检测射频输入信号并且根据射频输入信号的变化输出补偿电压至偏压电路。当射频输入信号的输入功率增加而导致操作偏压点偏移且工作电压下降时,所述偏压电路根据所接收的补偿电压来调升工作电压以回复或提升操作偏压点。

在本发明其中一个实施例中,偏压电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一参考电阻、第一电阻与第二电阻。第一晶体管的发射极连接接地电压,第一晶体管的基极连接动态偏压控制电路以接收补偿电压。第二晶体管的基极连接第一晶体管的集电极,第二晶体管的集电极连接第一系统电压。第一参考电阻的一端连接第一系统电压,第一参考电阻的另一端连接第二晶体管的基极,其中第一参考电阻用以产生第一参考电流。第一电阻的一端连接第二晶体管的发射极,第一电阻的另一端连接第一晶体管的基极。第二电阻的一端连接第二晶体管的发射极,第二电阻的另一端连接输出级电路且输出工作电压。参考电流等于第一晶体管的集电极电流与第二晶体管的基极电流的总和。

在本发明其中一个实施例中,当射频输入信号的输入功率上升时,所述第一晶体管的基极接收对应的补偿电压且据此使得第一晶体管的基极电流与集电极电流下降,进而使第二晶体管的基极电流与发射极电流上升,藉此来调升工作电压以回复或提升操作偏压点。

在本发明其中一个实施例中,输出级电路包括第三晶体管。第三晶体管的基极接收工作电压,第三晶体管的发射极连接接地电压,第三晶体管的集电极连接第二系统电压。在交流信号模式下,所述第三晶体管用以放大其所接收的射频输入信号并且于其集电极输出射频输出信号。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310001091.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top