[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的半导体层，设置在半导体衬底的单元区域、焊盘区域以及所述单元区域和所述焊盘区域之间的中间区域；

第二导电型的第一基极层，在所述单元区域设置在所述半导体层上；

第二导电型的第二基极层，在所述中间区域设置在所述半导体层上；

第一导电型的导电区域，设置在所述第一基极层内；

栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在被所述导电区域和所述半导体层夹持的沟道区域上；

第一电极，与所述第一以及第二基极层连接；

第二电极，与所述半导体层的下表面连接；以及

栅极焊盘，在所述焊盘区域隔着绝缘膜设置在所述半导体层上并且与所述栅极电极连接，

所述第二基极层的所述栅极焊盘侧是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具有：第二导电型的第三基极层，在所述半导体衬底的所述单元区域以及所述焊盘区域的外侧所配置的边缘终端区域，设置在所述半导体层上，

所述第三基极层的外侧是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有：栅极布线，在所述焊盘区域隔着所述绝缘膜设置在所述半导体层上，并且与所述栅极电极以及所述栅极焊盘连接，

所述第二基极层的所述栅极布线侧是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二基极层的与所述栅极焊盘相反的一侧也是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。

5.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的半导体层，设置在半导体衬底的单元区域、焊盘区域以及所述单元区域和所述焊盘区域之间的中间区域；

第二导电型的第一基极层，在所述单元区域设置在所述半导体层上；

第二导电型的第二基极层，在所述中间区域设置在所述半导体层上；

第二导电型的第三基极层，在所述焊盘区域设置在所述半导体层上并且比所述第二基极层的最深部浅；

第一导电型的导电区域，设置在所述第一基极层内；

栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在被所述导电区域和所述半导体层夹持的沟道区域上；

第一电极，与所述第一以及第二基极层连接；

第二电极，与所述半导体层的下表面连接；以及

栅极焊盘，在所述焊盘区域隔着绝缘膜设置在所述半导体层上并且与所述栅极电极连接。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第三基极层的杂质浓度为1. 0～2.0E12ions/cm²。

7.如权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二基极层的所述栅极焊盘侧是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。

8.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的半导体层，设置在半导体衬底的单元区域、焊盘区域以及所述单元区域和所述焊盘区域之间的中间区域；

第二导电型的第一基极层，在所述单元区域设置在所述半导体层上；

第二导电型的第二基极层，在所述中间区域以及所述焊盘区域设置在所述半导体层上；

第一导电型的导电区域，设置在所述第一基极层内；

栅极电极，隔着栅极绝缘膜设置在被所述导电区域和所述半导体层夹持的沟道区域上；

第一电极，与所述第一以及第二基极层连接；

第二电极，与所述半导体层的下表面连接；以及

栅极焊盘，在所述焊盘区域隔着绝缘膜设置在所述半导体层上并且与所述栅极电极连接，

所述第二基极层的杂质浓度向所述栅极焊盘的中心方向增加，

所述第二基极层是杂质浓度梯度比所述第一基极层平缓的VLD结构。

9.一种半导体装置的制造方法，制造权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，包括如下工序：

在所述中间区域，在所述半导体层上形成掩模，该掩模具有朝向所述焊盘区域宽度变窄的多个开口；

通过所述掩模的所述多个开口向所述半导体层注入杂质，形成所述第二基极层。