[发明专利]一种半导体单元的分离方法

权利要求书

1.一种半导体单元的分离方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；

2）将所述半导体原件粘附于一贴膜；或将所述半导体原件粘附于一基板上；

3）依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；

4）通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；

5）对所述贴膜进行扩膜；或将粘附于所述基板上的半导体原件转移至一贴膜后对该贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。

2.根据权利要求1所述的半导体单元的分离方法，其特征在于：所述半导体衬底为蓝宝石衬底、GaAs衬底、GaP衬底、GaAsP衬底、SiC衬底、Si衬底及SOI衬底的一种。

3.根据权利要求1所述的半导体单元的分离方法，其特征在于：所述半导体单元为发光二极管、激光二极管、MOS器件及双极型器件的一种或其任意组合。

4.根据权利要求1所述的半导体单元的分离方法，其特征在于：所述贴膜为包括红膜、绿膜、蓝膜、白膜或黄膜的PE泡棉胶带。

5.根据权利要求1所述的半导体单元的分离方法，其特征在于：步骤3）还包括于所述半导体衬底背面制作背镀层的步骤。