[发明专利]一种半导体单元的分离方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体领域，特别是涉及一种半导体单元的分离方法。

背景技术

半导体照明作为新型高效固体光源，具有寿命长、节能、环保、安全等显著优点，将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，其应用领域正在迅速扩大，正带动传统照明、显示等行业的升级换代，其经济效益和社会效益巨大。正因如此，半导体照明被普遍看作是21世纪最具发展前景的新兴产业之一，也是未来几年光电子领域最重要的制高点之一。发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光。

近年来，制造高集成、高性能的半导体产品的半导体工业相继发展半导体薄片加工技术。为了提高生产效率，各处的半导体产品使用半导体薄片加工技术把几个到几千万个半导体仪器集成到一块称为“晶片”的高纯度衬底上。一块几英寸晶片上要制造的芯片数目达几千片，在封装前要把它们分割成单个电路单元。

隐形切割技术使现有的被广泛应用的一种半导体的切割方式，其一般步骤是从半导体衬底背面发送激光脉冲形成多个切割孔，然后通过裂片机进行劈裂获得分离的半导体单元。然而，这种切割方式具有以下缺点：1）必须要购买价格昂贵的裂片机，且裂片操作需要大量的时间来进行，大大地提高了生产的成本；2）一般大功率的器件需要在半导体背面制作背镀层，如ODR，背镀金属制作完成后因光线无法穿透，看不清隐形切割的切割道，导致裂片困难。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体单元的分离方法，用于解决现有技术中裂片时间长、成本高、或对于含背镀层的半导体裂片难度高等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体单元的分离方法，至少包括以下步骤：

1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；

2）将所述半导体原件粘附于一贴膜；或将所述半导体原件粘附于一基板上；

3）依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；

4）通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；

5）对所述贴膜进行扩膜；或将粘附于所述基板上的半导体原件转移至一贴膜后对该贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。

作为本发明的半导体单元的分离方法的一种优选方案，所述半导体衬底为蓝宝石衬底、GaAs衬底、GaP衬底、GaAsP衬底、SiC衬底、Si衬底及SOI衬底的一种。

作为本发明的半导体单元的分离方法的一种优选方案，所述半导体单元为发光二极管、激光二极管、MOS器件及双极型器件的一种或其任意组合。

作为本发明的半导体单元的分离方法的一种优选方案，所述贴膜为包括红膜、绿膜、蓝膜、白膜或黄膜的PE泡棉胶带。

作为本发明的半导体单元的分离方法的一种优选方案，步骤4）包括于所述半导体衬底背面制作背镀层的步骤。

如上所述，本发明提供一种半导体单元的分离方法，先于半导体衬底的上表面制作包括多个半导体单元的半导体原件；然后将所述半导体原件粘附于一贴膜或基板上；接着依据各该半导体单元对所述半导体衬底进行隐形切割，以在所述半导体衬底内形成由多个切割孔组成的切割阵列；然后通过声波、震动或其组合的方法在所述半导体衬底中形成多个与各该切割孔对应延伸且穿透所述半导体衬底的裂痕；最后对半导体所在贴膜进行扩膜，以使各该半导体单元分离。本发明不需要裂片机便可实现半导体单元的分离，可以大幅降低生产成本；方法过程简单，有效缩短生产的时间，可以有效地提高产能；进行背镀等制程后通过声波、震动或其组合的方法形成穿透所述半导体衬底的裂痕，不需要后续的裂片工艺便可实现半导体单元的分离。

附图说明

图1~图2显示为本发明的半导体单元的分离方法步骤1）所呈现的结构示意图。

图3显示为本发明的半导体单元的分离方法步骤2）所呈现的结构示意图。

图4~图5显示为本发明的半导体单元的分离方法步骤3）所呈现的结构示意图。

图6显示为本发明的半导体单元的分离方法步骤4）所呈现的结构示意图。