[发明专利]迹线上凸块结构的迹线布局方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装，具体而言，涉及迹线布局方法。

背景技术

集成电路实际上由成千上万个有源器件(如晶体管和电容器)组成。这些器件最初相互隔离，后来被互连起来以形成功能电路。典型的互连结构包括横向互连件(如金属线(布线))和纵向互连件(如通孔和接触件)。互连结构对现代集成电路的性能限制和密度的决定作用日益增强。

在互连结构的顶部上，形成连接件结构，其可以包括在相应芯片的表面上形成并暴露的接合焊盘或金属焊盘。通过接合焊盘/金属凸块将芯片与封装基板或另一管芯连接起来而形成电连接。可以使用迹线上凸块(BOT)结构形成电连接，其中通过金属凸块将芯片与封装基板或管芯的金属迹线连接起来而形成连接。这种类型的电连接可以用于倒装芯片封装件中。

发明内容

一方面，本发明提供了一种用于设计封装件的方法，所述方法包括：使用计算机处理器，确定两个或两个以上的封装元件的热膨胀系数；将所述系数储存在存储器中；确定这两个或两个以上的封装元件的处理参数，所述处理参数包括：第一温度差，所述第一温度差是第一封装元件的焊料凝固温度和室温之间的温度差，和第二温度差，所述第二温度差是第二封装元件的焊料凝固温度和室温之间的温度差；使用计算机处理器，分析这两个或两个以上的封装元件的设计参数；以及使用计算机处理器，基于所述热膨胀系数和所述处理参数来修改所述设计参数。

在所述的方法中，确定所述热膨胀系数还包括：确定所述第一封装元件的第一热膨胀系数；确定所述第二封装元件的第二热膨胀系数；以及计算所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的差值。

在所述的方法中，确定所述热膨胀系数还包括：确定所述第一封装元件的第一热膨胀系数；确定所述第二封装元件的第二热膨胀系数；以及计算所述第一热膨胀系数和所述第二热膨胀系数之间的差值，其中，所述第一封装元件是封装基板，以及所述第二封装元件是器件管芯。

在所述的方法中，所述分析设计参数还包括：定位第一封装元件上的金属迹线；以及确定所述金属迹线与所述第一封装元件的中心的距离。

在所述的方法中，修改所述设计参数包括移动位于这两个或两个以上的封装元件上的一条或多条金属迹线，其中所述移动是基于这两个或两个以上的封装元件之间的热膨胀系数的差值。

在所述的方法中，修改所述设计参数仅在这两个或两个以上的封装元件中的一个的角部区域中实施，所述角部区域邻近这两个或两个以上的封装元件中的一个的角部。

在所述的方法中，修改所述设计参数仅在这两个或两个以上的封装元件中的一个的角部区域中实施，所述角部区域邻近这两个或两个以上的封装元件中的一个的角部，其中，所述角部区域还包括多条金属迹线，所述多条金属迹线基本垂直于所述封装元件的边缘。

另一方面，本发明提供了一种用于基板布局的方法，所述方法包括：使用计算机处理器，确定第一封装元件和第二封装元件之间的热膨胀系数的差值；确定所述第一封装元件和所述第二封装元件的处理参数，所述处理参数包括：第一温度差，所述第一温度差是所述第一封装元件的焊料凝固温度和室温之间的温度差，和第二温度差，所述第二温度差是所述第二封装元件的焊料凝固温度和室温之间的温度差；使用计算机处理器，分析所述第一封装元件的第一基板迹线布局，所述第一基板迹线布局包括多条金属迹线；以及使用计算机处理器，计算所述第一封装元件的第二基板迹线布局，所述第二基板迹线布局基于所述第一基板迹线布局，其中，所述第二基板迹线布局移动所述多条金属迹线中的一条或多条以补偿所述第一封装元件和所述第二封装元件之间的热膨胀系数的差值。

在所述的方法中，所述第一封装元件是封装基板，而所述第二封装元件是器件管芯。

在所述的方法中，分析所述第一基板迹线布局仅在所述第一封装元件的角部区域实施，所述角部区域邻近所述第一封装元件的角部，并且所述角部区域包括所述多条金属迹线中的一条或多条。

在所述的方法中，分析所述第一基板迹线布局仅在所述第一封装元件的角部区域实施，所述角部区域邻近所述第一封装元件的角部，并且所述角部区域包括所述多条金属迹线中的一条或多条，其中，所述角部区域中的多条金属迹线中的一条或多条基本垂直于所述封装元件的边缘。

在所述的方法中，在垂直于所述第一封装元件的边缘且朝向所述第一封装元件的中心的方向上移动所述多条金属迹线中的一条或多条。

在所述的方法中，分析所述第一基板迹线布局还包括：定位所述多条金属迹线中的一条；以及确定该金属迹线与所述第一封装元件的中心的距离。