[发明专利]二晶体管快闪存储器及二晶体管快闪存储器的编程方法

权利要求书

1.一种二晶体管快闪存储器，包括：

存储单元阵列，包括多个存储单元，每个存储单元具有串联连接的(1)单元晶体管和(2)选择晶体管；

行驱动器，经由全局控制线和字节选择晶体管连接至同一行上的存储单元的单元晶体管，该行驱动器经由字线连接至同一行上的存储单元的选择晶体管；

读/写电路，经由全局位线和扇区选择晶体管连接至同一列上的多个存储单元中的每个，该读/写电路被配置为经由字节控制线来控制字节选择晶体管；

充电泵，被配置为产生正高压；以及

控制逻辑，被配置为将正高压传递给行驱动器、读/写电路和存储单元阵列，

其中，如果编程，则行驱动器和读/写电路被配置为施加电压以使得在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极被浮置，并且

如果编程，则行驱动器和读/写电路被配置为向与在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元对应的全局控制线和选择的字节控制线施加相同电压以使得未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极被浮置。

2.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，如果编程，则行驱动器和读/写电路向与在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元对应的全局控制线和选择的字节控制线施加负中压。

3.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，如果编程，则行驱动器和读/写电路向与在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元对应的全局控制线和选择的字节控制线施加地电压。

4.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，如果编程，则行驱动器向选择的全局控制线施加第一正高压，并且读/写电路向未选择的字节控制线施加第二正高压。

5.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，如果编程，则连接至与在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元对应的全局控制线和字节控制线的字节选择晶体管被该全局控制线和字节选择晶体管的电压截止。

6.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，所述多个存储单元形成第一扇区和第二扇区，该第一和第二扇区的每个中的存储单元形成多个串，每个串包括串联连接的多个存储单元。

7.如权利要求6所述的二晶体管快闪存储器，其中，所述多个串中的每个经由对应的扇区选择线连接至全局位线。

8.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，如果编程，则选择晶体管和单元晶体管的公共源级被浮置。

9.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，如果编程，则向选择的全局位线施加负高压，并向未选择的全局位线施加地电压。

10.如权利要求1所述的二晶体管快闪存储器，其中，行驱动器和读/写电路被配置为如果未选择的存储单元在选择的列中，则仅使所述未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极浮置，所选择的列具有包括选择的存储单元的多个存储单元。