[发明专利]一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法有效
| 申请号： | 201310003974.0 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103058192A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 高宇;陶莹;邓树军;段聪;赵梅玉 | 申请（专利权）人： | 保定科瑞晶体有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/36 | 分类号： | C01B31/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 晶体生长 制备 方法 | ||
1.一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）将碳粉和硅粉的均匀混合，得到混合物；
（2）将所述混合物加入到加热室中，通过微波对所述混合物进行加热，即可得所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉。
2.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述碳粉纯度不低于99.999%，颗粒度介于20μm到1000μm，所述硅粉纯度不低于99.999%，颗粒度介于20μm到1000μm，且所述碳粉与所述硅粉按照摩尔质量比为1:1混合均匀。
3.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述微波的频率为900～3000MHz。
4.根据权利要求1所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述加热包括以下步骤：
a.将所述加热室内的温度加热到1400℃～1600℃，并保持0.5～3小时，所述加热室内的压力保持在1KPa～20KPa之间；
b.将所述加热室内的温度加热到2000℃～2200℃，并保持1～5小时，所述加热室内的压力保持在10KPa～60KPa之间。
5.根据权利要求1至4任一项所述用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述加热过程中，向所述加热室中通入氩气。
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