[发明专利]一种太阳光谱选择性吸收膜及其生产方法无效
申请号: | 201310004316.3 | 申请日: | 2013-01-07 |
公开(公告)号: | CN103148619A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 刘小军 | 申请(专利权)人: | 湖南兴业太阳能科技有限公司 |
主分类号: | F24J2/48 | 分类号: | F24J2/48;B32B15/20;B32B15/00;B32B9/04;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/06 |
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地址: | 411201 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳 光谱 选择性 吸收 及其 生产 方法 | ||
1.一种太阳光谱选择性吸收膜,包括一个覆膜基体(1),在覆膜基体(1)表面从内到外依次覆盖红外反射层(2)、中间介质层(3)、半透明金属层(4)、表面介质层(5),其特征在于:所述的覆膜基体(1)为金属或合金,所述的红外反射层(2)是包含铝或铜的涂层,所述的中间介质层(3)和表面介质层(5)为含氮化硅或氮氧化硅的涂层,所述的半透明金属层(4)为含铬的涂层。
2.根据权利要求1所述的一种太阳光谱选择性吸收膜,其特征在于:红外反射层(2)厚度为10~150nm,中间介质层(3)和表面介质层(5)厚度为30~100nm,半透明金属层(4)厚度为1~50nm。
3.根据权利要求1所述的一种太阳光谱选择性吸收膜,其特征在于:在表面介质层(5)外增加一个或两个“半透明金属层/介质层”交替层(6)。
4.根据权利要求3所述的一种太阳光谱选择性吸收膜,其特征在于:“半透明金属层/介质层”交替层(6)的半透明金属层为含铬的涂层,介质层为含氮化硅或氮氧化硅的涂层。
5.根据权利要求3所述的一种太阳光谱选择性吸收膜,其特征在于:“半透明金属层/介质层”交替层(6)的半透明金属层的厚度为1~30nm,介质层厚度为30~100nm。
6.根据权利要求1所述的选择性吸收涂层的制备方法,其特征在于,依次按以下步骤进行:
a.将覆膜基体进行表面处理,除去表面油污和氧化皮;
b.将表面处理好的基体烘干;
c.将烘干的基体置于真空镀膜室内;
d.真空室内,根据太阳能集热器板芯的结构,在基体上依次制备红外反射层、介质层、半透明金属层、介质层,或者再增加一个或两个“半透明金属层、介质层”交替层(5)。
7.根据权利要求6所述的红外反射层的制备,其特征在于:真空度为0.05~2Pa,溅射气体为Ar,溅射靶材为双阴极Al或Cu靶,溅射电流为2~30A,阴极电压为200~800V。
8.根据权利要求6所述的介质层的制备,其特征在于:真空度为0.05~2Pa, 溅射气体为Ar,反应气体为N2或N2掺O2,Ar占所有气体比重的30~50%,N2占40~60%,O2占1~15%,气体溅射靶材为中频电源控制的双阴极Si靶,溅射电流为30~75A,溅射电压为450~1000V。
9.根据权利要求6所述的半透明金属层的制备,其特征在于真空度为0.05~2Pa,溅射气体为Ar,溅射靶材为双阴极Cr靶,溅射电流为2~30A,阴极电压为300~1000V。
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