[发明专利]一种太阳光谱选择性吸收膜及其生产方法无效
申请号: | 201310004316.3 | 申请日: | 2013-01-07 |
公开(公告)号: | CN103148619A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 刘小军 | 申请(专利权)人: | 湖南兴业太阳能科技有限公司 |
主分类号: | F24J2/48 | 分类号: | F24J2/48;B32B15/20;B32B15/00;B32B9/04;C23C14/34;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/06 |
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地址: | 411201 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳 光谱 选择性 吸收 及其 生产 方法 | ||
技术领域
本发明属于薄膜技术和薄膜材料领域,涉及一种颜色可调选择性太阳能吸收膜。
背景技术
太阳能选择性吸收涂层是太阳能集热设备的核心部件,起着吸收太阳辐射能量并向集热器的传热工质传递热量的双重作用,目前市场上主要的太阳能选择性吸收涂层有黑铬、黑镍、阳极氧化涂层以及蓝钛镀膜等,现有涂层颜色单一,不美观,缺乏装饰性不能使太阳能热水系统与建筑物在色调上协调一致。
发明内容
本发明的目的是提供一种太阳光谱选择性吸收膜。
本发明的技术方案是,一种太阳光谱选择性吸收膜,包括一个覆膜基体,在覆膜基体表面从内到外依次覆盖红外反射层、中间介质层、半透明金属层、表面介质层,所述的覆膜基体为金属或合金,所述的红外反射层是包含铝或铜的涂层,所述的中间介质层和表面介质层为含氮化硅或氮氧化硅的涂层,所述的半透明金属层为含铬的涂层。
红外反射层厚度为20~150nm,中间介质层和表面介质层厚度为30~100nm,半透明金属层厚度为1~50nm。
在表面介质层外增加一个或两个“半透明金属层/介质层”交替层。
“半透明金属层/介质层”交替层的半透明金属层为含铬的涂层,介质层为含氮化硅或氮氧化硅的涂层。
“半透明金属层/介质层”交替层的半透明金属层的厚度为1~30nm,介质层厚度为30~100nm。
一种太阳光谱选择性吸收膜的生产方法:
本发明具有如下的技术效果,太阳光谱选择性吸收膜太阳能吸收率高,发射率低,膜颜色可根据需要进行调节,能使太阳能热水系统与建筑物在色调上协调一致。
附图说明
图1是蓝色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。
图2是蓝色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。
图3是黑色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。
图4是紫色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,一种蓝色的太阳光谱选择性吸收膜,包括一个金属Al覆膜基体1,在Al覆膜基体1表面从内到外依次覆盖厚度为20nm纯铝红外反射层2、厚度为60nm的氮化硅中间介质层3、厚度为15nm的半透明金属铬层4、厚度为68nm的氮氧化硅表面介质层5。
其生产方法是:
选择性吸收涂层的制备方法依次按以下步骤进行:
a.将Al基体进行表面处理,除去表面油污和氧化皮;
b.将表面处理好的基体烘干;。
c.将烘干的基体置于真空镀膜室内;。
d.真空室内,先在基体上磁控溅射一层红外反射层Al,真空度为0.5Pa,气体溅射靶材为双阴极铝靶,其溅射电流为10A,溅射电压为460V,溅射气体为Ar;
e.氮化硅中间介质层,真空度为0.5Pa,气体溅射靶材为中频电源控制的双阴极硅靶,其溅射电流为45A,溅射电压为570V,溅射气体为Ar,反应气体为N2,Ar占所有气体比重的43%,N2占57%;
f.真空室内,再溅射一层半透明金属铬层,真空度为0.5Pa气体溅射靶材为双阴极铬靶,其溅射电流为10A,溅射电压为510V,溅射气体为Ar;
g.真空室内,最后再磁控溅射一层氮氧化硅表面介质层,真空度为0.5Pa气体溅射靶材为中频电源控制的双阴极硅靶,其溅射电流为47A,溅射电压为600V,溅射气体为Ar,反应气体为N2掺O2,Ar占所有气体比重的33%,N2占60%,O2占7%。
该蓝色的太阳光谱选择性吸收膜的太阳能吸收率为:94.5%,发射率为:6%
实施例2
如图2所示,一种蓝色的太阳光谱选择性吸收膜,包括一个铝覆膜基体1,在铝覆膜基体1表面从内到外依次覆盖厚度为20nm纯铝红外反射层2、厚度为60nm的氮化硅中间介质层3、厚度为23nm的半透明金属铬层4、厚度为58nm的氮化硅表面介质层5,在表面介质层5外增加一个“半透明金属层/介质层”交替层6,“半透明金属层/介质层”交替层6的半透明金属层为含铬的涂层,厚度为10nm,介质层为含氮化硅的涂层,厚度为59nm。
其生产方法是:
选择性吸收涂层的制备方法依次按以下步骤进行:
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