[发明专利]藉由投影触控数据减少水渍容忍计算的方法

说明书

技术领域

本发明有关于水渍容忍的方法，特别是有关于一种藉由投影触控数据减少水渍容忍(water tolerance)计算的方法。 

背景技术

电容触控面板主要是为了改善因刮伤导致电阻式触控面板劣化而产生。电容式触控面板藉由辨别静电场的变化来侦测触控。在所有的触控技术中，单点触控电容式，其又可称为表面电容式，为最普遍且容易制造。相较于单点触控式，投影触控式(projected capacitive type)使用单层或多层的图案化铟锡氧化物(indium zinc oxide，ITO)形成一侦测矩阵。在自电容侦测技术中，这类的触控面板包含列电极(row electrode)3与行电极(column electrode)4，如图1A与图1B所示。一旦手指碰触到触控面板，附近电极的自电容将会提高，此乃所有串联的自电容累积的结果。当侦测出每个电极的自电容，控制芯片将可取得所有电极的电容变化量，且相关的习知算法可用于找出触碰的可能位置。然而，藉由自电容式来侦测电极的电容改变的方法，可能侦测出假性触碰点(ghost point)，假性触碰点会让自电容无法准确地侦测出两个或以上的触碰的真正位置。 

另一方面，在互电容侦测技术中，其面板包含原始数据矩阵，而此原始数据矩阵为包含列电极3与行电极4的电容所形成的格栅。与藉由侦测整个电极的电容变化侦测目标物的自电容触控屏不同地方在于，互电容触控屏仅侦测相交的列电极与行电极交叉点的电容变化。不同于自电容式侦测X+Y个电极(其X与Y为原始数据矩阵的电极的数量)互电容侦测在X﹒Y个独立交叉点的相交电极的电容，其意味着互电容可适用于侦测多点触碰。 

虽然互电容较适用于多点触碰的侦测，但实际侦测较自电容式困难，且每个交叉点的互电容的电容变化相当小。假设互电容是唯一可应用的数据，其通常无法支持高阶触控特性，例如触控笔侦测。另外，在习知技术中，水渍容忍的计算量相当庞大，而无法将其内建于触控面板控制芯片中。 

因此，从习知技术的能力和低效率下可以得知，自电容式受限于多点触控的侦测，而互电容式的侦测数据较自电容式小。可合理推论将互电容与局部空间边界侦测算法(local spatial boundary detection algorithm)结合，水渍容忍的计算量可以大幅减少，因此水渍容忍计算的算法可内建于触控面板控制芯片内。 

发明内容

本发明的目的在提供一种藉由投影触控数据减少水渍容忍 计算的方法，其主要用于手持装置。此方法首先取得一差异阵列，藉由撷取差异阵列的列与行的最小值，分别取得列投影表列与行投影表列。藉由重复实施互电容侦测，可以从多个水渍区块中排除假性水渍区块。另一方面来说，真实水渍区块所排除的区域为矩形，因此可以排除任何落入矩形区块内但超出真实水渍区块的输入的感应讯号。藉由结合局部空间边界侦测算法(local spatial boundary detection algorithm)的装置，可以侦测在矩形水渍区块但超出真实水渍区块的真实输入的感应讯号。由于此方法可以减少计算量，则可以将水渍容忍计算的算法内建于触控面板的控制芯片内。 

为了达到上述目的，本发明提供一种藉由投影触控数据减少水渍容忍计算的方法，其适用于手持装置，可以减少计算量，水渍容忍计算的算法可以内建于触控面板的控制芯片内。此方法包含下列步骤：取得具有列感应线与行感应线的感应阵列的电容原始数据；比较电容原始数据与参考原始数据以取得差异阵列；藉由撷取差异阵列的列的最小值取得一列投影表列；以及藉由撷取差异阵列的行的最小值取得一行投影表列。 

在本发明的一实施例中，藉由计算每条列感应线与每条行感应线的自电容，以取得感应阵列的目前原始数据。 

在本发明的一实施例中，藉由计算在列感应线与行感应线间 的互电容，以取得感应阵列的目前原始数据。 

在本发明的一实施例中，参考原始数据包含一电容矩阵，而在感应阵列上没有触碰或水渍区块产生的情况下，藉由一统计模型计算电容矩阵。 

在本发明的一实施例中，藉由使用一静态校准程序计算参考原始数据。 

在本发明的一实施例中，藉由使用一动态校准程序计算参考原始数据。 

在本发明的一实施例中，更包含藉由列投影表列与行投影表列决定至少一矩形水渍区块的步骤。 

在本发明的一实施例中，藉由列投影表列与行投影表列决定至少一矩形水渍区块的步骤是分别比较列投影表列与第一水渍临限值以及比较行投影表列与第二水渍临限值，以形成列水渍区与行水渍区，进而决定水渍区块的一范围。