[发明专利]中高压铝电解电容的制作方法有效
| 申请号： | 201310007914.6 | 申请日： | 2013-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103227052A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 朱健雄 | 申请（专利权）人： | 朱健雄 |
| 主分类号： | H01G9/055 | 分类号： | H01G9/055 |
| 代理公司： | 广东国欣律师事务所 44221 | 代理人： | 李文 |
| 地址： | 321100 浙江省金华市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 电解电容 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、选用低温化成工艺形成无定型结晶的AL2O3化成箔作为中高压铝电解电容的正极箔；
B、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。
2.根据权利要求1所述的中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于：所述AL2O3化成箔为中高压腐蚀铝箔，厚度为75um～120um，腐蚀孔径在0.05微米以上。
3.根据权利要求1所述的的制作方法，其特征在于，所述低温化成工艺包括：
①草酸处理：草酸溶液的温度在10℃～45℃，草酸溶度在1%～10%；
②至少进行三级化成工序，化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺，槽液温液控制在20～90℃。
4.根据权利要求3所述的中高压铝电解电容化成箔的制作方法，其特征在于：所述化成工序为五级化成。
5.根据权利要求3所述的中高压铝电解电容化成箔的制作方法，其特征在于：所述槽液温液控制在30℃～90℃。
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