[发明专利]中高压铝电解电容的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及铝电解电容的制作方法。 

背景技术

由于现有的中高压铝电解电容器所采用的铝箔为高温化成工艺，形成为γ型AL₂O₃的致密型氧化膜，片面追求铝箔的比容和铝箔的电压，致密型氧化膜虽然致密稳定，但内阻大，造成电压波动时的发热量大，引起电容的失效，不合适电容两端压降的变化率过大电路环境。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种损耗小、内阻小的中高压铝电解电容的制作方法。 

本发明的目的可以这样实现，设计一种中高压铝电解电容的制作方法，包括步骤： 

A、选用低温化成工艺形成无定型结晶的AL₂O₃化成箔作为中高压铝电解电容的正极箔； 

B、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。 

进一步地，AL₂O₃化成箔为中高压腐蚀铝箔，厚度为75um～120um，腐蚀孔径在0.05微米以上。 

进一步地，所述低温化成工艺包括： 

①草酸处理：草酸溶液的温度在10℃～45℃，草酸溶度在1%～10%； 

②至少进行三级化成工序，化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺，槽液温液控制在20℃～90℃。 

优选地，槽液温液控制在30℃～90℃。 

本发明采用无定型氧化膜结构的铝箔作为正极箔，降低电容的损耗角正切和内阻，以大大降低电容的发热量，提高实际工作电压与电容工作电压之比的系数，提高电源的能源效率。 

具体实施方式

以下结合实施例对本发明作进一步的描述。 

一种中高压铝电解电容的制作方法，包括步骤： 

A、选用低温化成工艺形成无定型结晶的AL₂O₃化成箔作为中高压铝电解电容的正极箔； 

B、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。 

其中，AL₂O₃化成箔为中高压腐蚀铝箔，厚度为75um～120um，腐蚀孔径在0.05微米以上。 

其中的低温化成工艺包括：①草酸处理：草酸溶液的温度在10℃～45℃，草酸溶度在1%～10%以下；②至少进行三级化成工序，化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺，化成工序中的化成溶液采用现有技术中的五硼酸铵或硼酸槽液，但是液温控制在90℃以下，控制在30℃～90℃较佳。较佳地，采用五级化成，槽液为现有的五硼酸铵或硼酸槽液，槽液液温控制在90℃以下，控制在30℃～90℃较佳，根据需要化成的铝箔电压，逐级进行电压化成。 

其中裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺为现有铝电解电容器的制作工艺。对于导针形（包括引线式）采用的工艺步骤为：裁切→钉卷→含浸→放置胶塞封口→套胶→老化→测试分选。对于耳片形（包括钮角、螺栓、焊片式）采用的工艺步骤为：裁切→钉卷→含浸→铆接→封口→套胶→老化→测试分选。 

以530VF+400WV化成铝箔为例，普通铝箔比容0.68uf/cm²，本发明采用的铝箔比容0.42uf/cm²。 

发明采用铝箔实施例： 

将上述两种铝箔做成电解电容，以360V、50uf频闪灯电容为例。普通的电容的数据为：530V+75um、0.36uf/m²；120HZ25℃以下tgδ=2.8%。本发明的电容的数据为：520V+75um、0.36uf/m²；120HZ25℃以下tgδ=1.8%。 

普通电解电容在全充全放2小时内温升为105℃，本发明的电解电容在全充全放2小时内温升为55℃。 

以普通的手机充电器为例，电解电容电性能数据对比： 

使用在5V/1A的手机充电器上：