[发明专利]电平移位电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种电平移位电路。

背景技术

电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号，实现低压逻辑对高压功率输出级的控制，应用于高压器件的控制技术领域，在电机驱动、等离子显示（PDP）、有机发光二极管显示（OLED）和FLASH存储器电路等方面得到了广泛应用。在高压器件的控制技术领域，可将控制电路和高压输出驱动电路集成在一起，实现高耐压、大电流、高精度。常规的电平移位电路将低压控制信号转换为高压控制信号用于驱动高压下工作的输出级PMOS管。电平移位电路作为连接控制电路和输出驱动级的关键电路，一方面要求有很高的驱动能力，满足输出级的驱动要求；另一方面电平移位电路也是高电压工作电路，要求有比较低的静态电流，从而降低功耗。

图1示出了现有技术的一种电平移位电路的结构示意图，包括第一PMOS晶体管PM11、第二PMOS晶体管PM12、第一NMOS晶体管NM11和第二NMOS晶体管NM12。所述第一PMOS晶体管PM11的源极和第二PMOS晶体管PM12的源极连接电压源VHH；所述第一PMOS晶体管PM11的漏极连接所述第一NOMS晶体管NM11的漏极和第二PMOS晶体管PM12的栅极，所述第一PMOS晶体管PM11的栅极连接所述第二PMOS晶体管PM12的漏极和第二NMOS晶体管NM12的漏极；所述第一NMOS晶体管NM11和第二NMOS晶体管NM12的源极接地；所述第一NMOS晶体管NM11的栅极为所述电平移位电路的第一输入端INa，所述第二NMOS晶体管NM12的栅极为所述电平移位电路的第二输入端INb，所述第二PMOS晶体管PM12的漏极和所述第二NMOS晶体管NM12的漏极为所述电平移位电路的输出端OUT。

电平移位电路工作过程中，所述第一输入端INa加载输入信号，所述第二输入端INb加载与所述输入信号相位相反的信号。当所述输入信号为低电平时，所述第一NMOS晶体管NM11处于关闭状态，所述第二NMOS晶体管NM12处于开启状态，所述第一PMOS晶体管PM11处于开启状态，所述第二PMOS晶体管PM12处于关闭状态，所述电平移位电路的输出端OUT输出低电平。当输入信号从低电平切换到高电平时，所述第一NMOS晶体管NM11处于开启状态，所述第二NMOS晶体管NM12处于关闭状态，所述第一PMOS晶体管PM11处于关闭状态，所述第二PMOS晶体管PM12处于开启状态，所述电平移位电路输出端OUT输出高电平VHH。但是在输入信号电平转换的过程中，例如由低电平转换为高电平的过程中，当第一NMOS晶体管NM11开启时，若第一PMOS晶体管PM11还没有关闭，就会形成一条在从高压电压源VHH到地的电路，具有较大的电流。

因此现有技术的电平移位电路功耗高。

其他有关信息还可以参考公开号为US2011/273940A1的美国发明专利申请。

发明内容

本发明解决的问题是现有技术的电平移位电路功耗高。

为解决上述问题，本发明提供了一种电平移位电路，包括：第一电平移位电路，用于根据输入信号输出第一电平信号，所述第一电平移位电路的第一输入端连接所述输入信号，所述第一电平移位电路的第二输入端连接反相的输入信号，所述第一电平移位电路的输出端输出所述第一电平信号，所述第一电平信号的电平翻转速度小于所述输入信号的电平翻转速度；反相器，用于将所述第一电平信号反相；第二电平移位电路，用于根据所述第一电平信号输出第二电平信号，所述第二电平移位电路的第一输入端连接所述第一电平信号，所述第二电平移位电路的第二输入端连接经所述反相器反相的第一电平信号，所述第二电平信号的输出端输出所述第二电平信号，所述第二电平信号的电平翻转速度小于所述第一电平信号的电平翻转速度。

可选的，所述第一电平移位电路由具有第一阈值电压的MOS晶体管组成，所述第二电平移位电路由具有第二阈值电压的MOS晶体管组成。

可选的，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。