[发明专利]一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件

权利要求书

1.一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，其特征在于，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的质量百分含量为19~23%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014。

2.如权利要求1所述的修饰氧化铟锡阳极，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜厚度为70~200nm。

3.一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供洁净的氧化铟锡阳极，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜；

向所述氧化铟锡薄膜表面滴加含氟有机物；所述含氟有机物为二氟邻位取代的芳香族化合物；

待所述含氟有机物扩散完毕后，将所述氧化铟锡阳极在惰性气体保护下，对滴加含氟有机物的一面进行紫外光照处理，处理的时间为5~20分钟；

紫外光照处理完毕后，将所述氧化铟锡阳极进行臭氧化处理，得到修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。

4.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为19~23%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014。

5.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述二氟邻位取代的芳香族化合物为邻二氟苯、3,4-二氟甲苯或2，3-二氟甲苯。

6.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，以所述氧化铟锡薄膜的面积计，所述含氟有机物的滴加量为0.02~0.1mL/cm²。

7.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述紫外光照处理过程中采用UV汞灯进行照射处理，所述UV汞灯功率为5~40w，所述UV汞灯与所述氧化铟锡阳极的距离为5~10cm。

8.如权利要求3所述的修饰氧化铟锡阳极的制备方法，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。

9.一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述阳极为修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为19~23%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。