[发明专利]一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及电子器件相关领域，尤其涉及一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法和有机电致发光器件。

背景技术

目前，在有机半导体行业中，有机电致发光器件（OLED）具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。

在有机电致发光器件的结构中，阳极作为器件结构的一个重要部分，承担着载流子注入和电路连接的作用，而同时载流子的注入又与电极同有机材料之间的界面势垒有关。阳极一般都是承担空穴注入的作用，通常采用的导电氧化物薄膜如氧化铟锡（ITO）等，其功函只有4.7eV，而采用的有机空穴传输材料，其HOMO能级通常在5.1V左右，这样导致空穴注入需要克服较大的势垒，从而导致空穴注入效率不高。目前通常使用氧等离子处理的方法，提高ITO表面的氧含量，并降低Sn/In比，从而达到提高功函的目的，因此获得较高的空穴注入效率。但该方法需要用到等离子处理设备，对设备的要求比较高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明旨在提供一种修饰氧化铟锡阳极及其制备方法，该方法通过将氧化铟锡阳极进行修饰处理，使氧化铟锡薄膜表面形成了含氟偶极层，提高了阳极表面功函，从而使该阳极在应用中可大大提高空穴的注入效率，提高器件发光效率。本发明还提供了包含上述修饰氧化铟锡阳极的有机电致发光器件。

第一方面，本发明提供了一种修饰氧化铟锡阳极，包括氧化铟锡阳极和修饰层，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜，所述修饰层设置在所述氧化铟锡薄膜表面，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层，所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为19~23%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014。

优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。

第二方面，本发明提供了一种修饰氧化铟锡阳极的制备方法，包括以下步骤：

提供洁净的氧化铟锡阳极，所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜；

向所述氧化铟锡薄膜表面滴加含氟有机物；所述含氟有机物为二氟邻位取代的芳香族化合物；

待所述含氟有机物扩散完毕后，将所述氧化铟锡阳极在惰性气体保护下，对滴加含氟有机物的一面进行紫外光照处理，处理的时间为5~20分钟；

紫外光照处理完毕后，将所述氧化铟锡阳极进行臭氧化处理，得到修饰氧化铟锡阳极，所述修饰氧化铟锡阳极的表面具有修饰层，所述修饰层为所述氧化铟锡薄膜表面的铟与氟成键形成的以In-F形式存在的含氟偶极层。

所述含氟偶极层的氟元素的百分含量为19~23%，锡元素与铟元素的质量百分含量比为0.006~0.014。

所述氧化铟锡阳极包括玻璃基板和设置在所述玻璃基板表面的氧化铟锡薄膜。采用如下方式制备：提供洁净的玻璃基板，采用磁控溅射法在所述玻璃基板上溅射制备氧化铟锡薄膜。

所述玻璃基板为市售普通玻璃。

优选地，所述玻璃基板的清洗操作具体为：依次采用洗洁精、去离子水、异丙醇和丙酮分别进行超声清洗20分钟，然后氮气吹干。

优选地，所述氧化铟锡薄膜的厚度为70~200nm。

制备好的氧化铟锡阳极还可进行臭氧化处理，以提高氧化铟锡薄膜表面能。随后向所述氧化铟锡薄膜表面滴加含氟有机物。

所述含氟有机物为二氟邻位取代的芳香族化合物。优选地，所述二氟邻位取代的芳香族化合物为邻二氟苯、3,4-二氟甲苯或2，3-二氟甲苯。

优选地，以所述氧化铟锡薄膜的面积计，所述含氟有机物的滴加量为0.02~0.1mL/cm²。

待含氟有机物扩散完毕后，这些含氟有机物将分散着吸附在高能的氧化铟锡（ITO）阳极表面，此时将所述氧化铟锡阳极在惰性气体保护下进行紫外光照处理。通过UV光照处理，吸附在ITO表面的含氟有机物将产生大量含氟的自由基，这些含氟自由基将与ITO表面的铟（In）结合，形成In-F键，从而氧化铟锡（ITO）表面的部分Sn被F取代。

优选地，所述紫外光照处理过程中采用UV汞灯进行照射处理，所述UV汞灯功率为5~40w，所述UV汞灯与所述氧化铟锡阳极的距离为5~10cm。