[发明专利]像素结构及像素阵列基板

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

一基板；

一薄膜晶体管，设置于所述基板上，且所述薄膜晶体管包含有一栅极、一源极以及一漏极；

一数据线与一扫描线，设置于所述基板上，且彼此交错；

一第一绝缘层，覆盖于所述薄膜晶体管、所述数据线与所述基板上，且所述第一绝缘层具有一第一开口，曝露出所述漏极；

一透明导电图案层，设置于所述第一绝缘层上，且所述透明导电图案层包括：

一共用电极；以及

一连接电极，延伸至所述第一开口内与所述漏极电性连接，且所述连接电极与所述共用电极电性绝缘；

一第二绝缘层，覆盖于所述第一绝缘层与所述透明导电图案层上，且所述第二绝缘层具有一第二开口，曝露出所述连接电极；以及

一像素电极，设置于所述第二绝缘层上，并通过所述第二开口与所述连接电极电性连接；

其中，所述数据线与所述扫描线分别形成于不同金属层，所述漏极、所述第一开口、所述连接电极、所述第二开口与所述像素电极构成一连接结构。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于所述连接电极的特征长度为所述第一开口的特征长度或所述第二开口的特征长度的1到2.5倍。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述连接电极的特征长度最小与所述第一开口的特征长度以及所述第二开口的特征长度的加总相同。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一开口与所述第二开口具有相同大小。

5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述连接电极的特征长度为所述第一开口的特征长度或所述第二开口的特征长度的两倍以上。

6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第二开口与所述第一开口重叠。

7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述连接电极的特征长度为所述第一开口的特征长度或所述第二开口的特征长度的一倍以上。

8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述共用电极与所述薄膜晶体管重叠。

9.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述数据线电性连接所述源极，所述扫描线电性连接所述栅极。

10.如权利要求9所述的像素结构，其特征在于，所述共用电极与所述数据线或所述扫描线重叠。

11.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述共用电极不与所述第一开口以及所述第二开口重叠。

12.一种像素阵列基板，其特征在于，包括：

多个如权利要求1所述的像素结构，呈一阵列方式排列；

其中，位于同一行的任两相邻的所述像素结构的所述共用电极彼此相连接。