[发明专利]像素结构及像素阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种像素结构及像素阵列基板，特别是涉及一种具有提升像素开口率的像素结构及像素阵列基板，也就是一种HUA(HannStar Ultra-high Aperture)的技术。

背景技术

液晶显示面板具有外型轻薄、耗电量少以及无辐射污染等特性，已被广泛地应用在笔记本计算机(notebook)、个人数码助理(PDA)等携带式信息产品上，并且已逐渐取代传统桌上型计算机的阴极射线管监视器。

现有液晶显示面板是由彩色滤光片基板、像素阵列基板以及液晶层所构成，且液晶层设置于彩色滤光片基板与像素阵列基板之间，并通过调整液晶层的液晶分子的旋转方向来控制像素的亮暗。请参考图1，图1所示为现有的像素阵列基板的像素结构的剖视示意图。如图1所示，像素结构10包括基板12、薄膜晶体管14、共用线16、保护层18、平坦层20以及像素电极22。薄膜晶体管14设置于基板12上，且包含有栅极14a、源极14b、漏极14c以及通道层14d。共用线16设置于基板12上。保护层18覆盖于薄膜晶体管14与基板12上，且具有第一开口18a，曝露出漏极14c。平坦层20覆盖于保护层18上，且具有第二开口20a，对应第一开口18a，以曝露出漏极14c。像素电极22设置于平坦层20上，并通过开口18a、20a与漏极14c电连接。并且，共用线16与像素电极22重叠，使共用线16、像素电极22、保护层18与平坦层20构成储存电容。

然而，第一开口18a在对准薄膜晶体管14的漏极14c时会有对位误差，且第二开口20a在对准第一开口18a时也会有对位误差。再者，像素电极22覆盖第二开口20a时也会有对位误差。由于第一开口18a、第二开口20a与像素电极22的对位误差会相互影响，因此用于电性连接像素电极22与薄膜晶体管14的漏极14c的连接结构24的大小会同时受到第一开口18a、第二开口20a与像素电极22的对位误差的影响，而需将连接结构24的特征长度L1设计为大于第一开口18a的特征长度L2，且约略为第一开口18a的特征长度L2的4到8倍，例如：20到28微米，使得像素电极22可通过第一开口18a以及第二开口20a而与漏极14c相接触。如此一来，用于连接像素电极22与漏极14c的连接结构24会影响用于显示的像素电极22的面积，进而限制了像素结构10的开口率。

因此，在像素阵列基板的分辨率增加的趋势下，提升像素结构的开口率实为业界努力的目标。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种像素结构及像素阵列基板，以提升像素结构与像素阵列基板的开口率。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种像素结构，包括基板、薄膜晶体管、第一绝缘层、透明导电图案层、第二绝缘层以及像素电极。薄膜晶体管设置于基板上，且薄膜晶体管包含有一栅极、一源极以及一漏极。第一绝缘层覆盖于薄膜晶体管与基板上，且第一绝缘层具有一第一开口，曝露出漏极。透明导电图案层设置于第一绝缘层上，且透明导电图案层包括共用电极以及连接电极。连接电极延伸至第一开口内与漏极电性连接，且连接电极与共用电极电性绝缘。第二绝缘层覆盖于第一绝缘层与透明导电图案层上，且第二绝缘层具有一第二开口，曝露出连接电极。像素电极设置于第二绝缘层上，并通过第二开口与连接电极电性连接。漏极、第一开口、连接电极、第二开口与像素电极构成一连接结构

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种像素阵列基板，包括多个像素结构，呈一阵列方式排列。位于同一行的任两相邻的所述像素结构的所述共用电极彼此相连接。

本发明的像素结构通过连接电极来电性连接像素电极与薄膜晶体管的漏极，因此第一开口不限与第二开口重叠或不重叠。所以，用于电性连接像素电极与薄膜晶体管的漏极的连接结构的特征长度可约略为第一开口的特征长度或第二开口的特征长度的1到2.5倍，借此连接结构的大小可被有效地缩小，进而可有效地提升像素结构的开口率。

附图说明

图1所示为现有的像素阵列基板的像素结构的剖视示意图。

图2所示为本发明第一实施例的像素阵列基板的上视示意图。

图3所示为图2的单一像素结构的放大示意图。

图4所示为图3沿着剖视线A-A’的剖视示意图。

图5为本发明第二实施例的像素结构的剖视示意图。

图6为本发明第三实施例的像素结构的上视示意图。

图7为本发明第四实施例的像素结构的上视示意图。

其中，附图标记说明如下：

10、100、200、300、400像素结构

12、104基板