[发明专利]用于鱼骨形差分电容器的结构和方法

说明书

交叉引用

本发明涉及以下共同转让的美国专利申请，这些美国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文：发明人Hsiu-Ying Cho于2011年6月10日提交的、名称为“A VERTICAL INTERDIGITATED SEMICONDUCTOR CAPACITOR”的美国专利申请13/158,044(代理卷号TSMC2011-0077)；发明人Hsiu-Ying Cho于2011年8月20日提交的、名称为“VERTICALLY ORIENTEDSEMICONDUCTOR DEVICE AND SHIELDING STRUCTURE THEREOF”的美国专利申请13/212,982(代理卷号TSMC2011-0149)；发明人Hsiao-Tsung Yen于2011年10月25提交的、名称为“STRUCTURE AND METHOD FOR AHIGH-K TRANSFORMER WITH CAPACITIVE COUPLING”的美国专利申请13/280,786(代理卷号TSMC2011-0436)；以及发明人Hsiu-Ying Cho于2011年10月13日提交的、名称为“VERTICIALLY ORIENTED SEMICONDUCTORDERVICE AND SHIELD STRUCTURE THEREOF”的美国专利申请13/272,866(代理卷号TSMC2011-0572)；以及发明人Hsiu-Ying Cho于2011年9月7日提交的、名称为“A HORIZONTAL INTERDIGITATED CAPACITORSTRUCTURE WITH VIAS”的美国专利申请13/227,242(代理卷号TSMC2011-0564)。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及用于鱼骨形差分电容器的结构和方法。

背景技术

集成电路(IC)工业已经历快速增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了若干代IC产品，其中每一代比前一代具有更小和更复杂的电路。然而，这些进步增加了加工和制造IC的复杂性并且，同时为实现这些进步，IC加工和制造方面需要类似的发展。在IC演进过程中，随着几何尺寸(即，使用制造工艺能生产的最小部件(或者线路))的缩减，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)已普遍地增加。

各种有源或者无源电子元件可以形成在半导体IC上。例如，半导体电容器可以形成为无源电子元件。传统上，半导体电容器可以具有金属-氧化物-金属(MOM)结构。随着器件尺寸继续缩减，用于传统半导体电容器的MOM结构可能遇到诸如占用面积过多，低电容器密度和/或高制造成本的问题。

因此，尽管现有半导体电容器器件总体上满足它们的预期目的，然而并不是在各个方面完全令人满意。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底，具有由第一轴线和与所述第一轴线垂直的第二轴线限定的表面；以及

设置在所述衬底上的电容器结构，其中所述电容器结构包括：

第一导电部件，以及

第二导电部件和第三导电部件，对称配置在所述第一导电部件的相对侧，其中所述第一导电部件、所述第二导电部件以及所述第三导电部件通过相应的介电材料相互隔离。

在可选实施例中，所述第一导电部件被配置成连接至第一信号线；以及所述第二导电部件和所述第三导电部件被配置成连接至第二信号线。

在可选实施例中，所述第一导电部件被配置成连接至第一信号线；以及所述第二导电部件被配置成连接至第二信号线；以及所述第三导电部件被配置成连接至与所述第二信号线不同的第三信号线。

在可选实施例中，所述第一信号线是地线；所述第二信号线具有第一交流电的电源线，所述第一交流电具有第一幅度和第一相位；以及所述第三信号线是具有第二交流电的另一电源线，所述第二交流电具有所述第一幅度和与所述第一相位相反的第二相位。

在可选实施例中，所述第一导电部件包括以所述第一轴线为方向的第一主干部件；所述第二导电部件设置在所述第一导电部件的第一侧，并且所述第二导电部件包括以所述第二轴线为方向的多个第一分支部件；以及所述第三导电部件设置在所述第一导电部件的第二侧，并且所述第三导电部件包括以所述第二轴线为方向的多个第二分支部件。