[发明专利]形成密集间距图案的方法有效
申请号: | 201310015562.9 | 申请日: | 2013-01-16 |
公开(公告)号: | CN103631094A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 吴俊伟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/76 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 密集 间距 图案 方法 | ||
1.一种形成密集间距图案的方法,其特征在于,包含:
提供一目标图案,其中所述目标图案包含多个第一条状图案,所述第一条状图案具有一第一宽度以及一第一长度;
提供一光掩膜,其具有多个第二条状图案对应于各所述第一条状图案,其中各所述第二条状图案具有一第二宽度以及一第二长度;
在一曝光系统中利用所述光掩膜进行一第一曝光工艺,其中所述第一曝光工艺使用一第一光源,所述第一光源可以解析出所述第二条状图案的所述第二宽度;以及
在所述曝光系统中利用所述光掩膜进行一第二曝光工艺,其中所述第二曝光工艺使用一第二光源,所述第二光源不能解析出所述第二条状图案的所述第二宽度。
2.根据权利要求1所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第二光源可以解析出所述第二条状图案的所述第二长度。
3.根据权利要求1所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第二条状图案的所述第二长度大于所述第一条状图案的所述第一长度。
4.根据权利要求1所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第二条状图案的所述第二宽度实质上等于所述第一条状图案的所述第一宽度。
5.根据权利要求4所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第一宽度与所述第二宽度为所述曝光系统中的临界尺寸。
6.根据权利要求1所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第一曝光工艺与所述第二曝光工艺中的分辨率以下列公式来决定:
R=(0.5.λ)/(N.A.·(1+Hσ))
其中,R代表分辨率,λ代表光源波长,N.A.代表数值孔径,Hσ代表孔径可调半径。
7.根据权利要求6所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第一光源的波长实质上等于所述第二光源的波长。
8.根据权利要求6所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第一曝光步骤中,N.A.·(1+Hσ)的值会大于所述第二曝光步骤中N.A..(1+Hσ)的值。
9.根据权利要求6所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第一宽度与所述第二宽度为38纳米,所述第一长度为160纳米,而所述第二长度为260纳米。
10.根据权利要求9所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,所述第一光源的波长与所述第二光源的波长都为193纳米。
11.根据权利要求9所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,在所述第一曝光工艺中,所述孔径可调半径为1.35而所述分辨率为1。
12.根据权利要求9所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,在所述第二曝光工艺中,N.A.·(1+Hσ)的值介于0.371与2.539之间。
13.根据权利要求1所述的形成密集间距图案的方法,其特征在于,还包含:
提供一基底;
形成一光致抗蚀剂层于所述基底上;以及
在进行了第一曝光工艺与所述第二曝光工艺后,在所述光致抗蚀剂层上形成所述目标图案。
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