[发明专利]半导体封装件的制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件及其制法，尤指一种能提升曝光精确度的半导体封装件制法及据此所得的半导体封装件。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，现今电子产品均朝向微型化、多功能、高电性及高速运作的方向发展。例如，随着前端半导体芯片工艺的集积化，半导体芯片的主动面上形成有密集的电极垫，以提供信号的输入/输出(I/O)。为了配合此一发展趋势，后端半导体业者积极研发能利用互连结构将该等电极垫传输的信号扇出的半导体封装件，例如扇出式封装件。

在是种封装件中，如芯片的半导体组件通常通过一封装胶体镶嵌至一承载件。之后，该承载件会被移除，并在该半导体组件上形成互连结构。如图1A至图1G所示，其显示一种扇出式封装件的制法。

如图1A所示，提供一表面上依序形成有离型层11和胶层12的透明承载件10，该胶层12上设置有半导体组件13。

如图1B所示，于该透明承载件10的底面10b上接置一光罩14，并进行曝光工艺。

如图1C所示，移除未曝光的胶层12部分。

接着，如图1D及图1E的顺序，通过一支撑件16使封装胶体15包覆该半导体组件13，并移除该透明承载件10。最后如图1F所示，移除剩余的该胶层12。

然而，该光罩14设于透明承载件10的底面10b，且透明承载件10的厚度约有700μm，是以，曝光光线通过光罩14产生绕射，再通过一厚度较大的介质，将使得曝光图形变形。尤其因设置半导体组件时，该半导体组件13的部分通常会陷入该胶层12(如图1A所示)，所以必须于曝光时定义出半导体组件投影区域外的胶层部分，以于后续步骤移除的，但因曝光图形变形导致于图1C所示的步骤无法移除半导体组件13周围的胶层12，使得形成封装胶体15时，无法完整包覆半导体组件13的侧面，进行令该半导体组件13侧面与封装胶体15形成间隙g。如果接着于该半导体组件上形成互连结构，例如图1G所示的形成于该半导体组件13上的包括导电迹线171和绝缘层172的线路重布结构17和导电组件18，势必容易因该间隙g影响产品信赖性。

因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺点，本发明的主要目的在于提供一种半导体封装件的制法，可更提升曝光精确度及产品信赖性。

本发明的半导体封装件的制法，包括：设置至少一半导体组件于一透明承载件上，其中，该透明承载件表面上形成有胶层，该胶层与透明承载件之间形成有光罩，且该至少一半导体组件通过该胶层粘附于该透明承载件上；进行曝光显影步骤，以移除未为该至少一半导体组件所覆盖的胶层部分；形成包覆该至少一半导体组件的封装胶体；以及移除该透明承载件及剩余的胶层。

本发明将图案化的薄膜形成于胶层与透明承载件之间，以作为光罩，此薄膜的厚度很薄，尤其是相比于传统曝光显影的光罩厚度，所以于大幅减少光罩与胶层之间的距离后，得以避免曝光光线通过光罩和透明承载件因产生绕射所放大的误差，提升曝光精确度及产品信赖性。

附图说明

图1A至图1G为现有扇出式封装件的制法剖面示意图；以及

图2A至图2H为本发明的半导体封装件的制法的剖面示意图，其中，图2A’为图2A的俯视图。

【符号说明】

10,20    透明承载件

10b      底面

11,21    离型层

12,22    胶层

13,23    半导体组件

14       光罩

15,25    封装胶体

16,26    支撑件

17,27    线路重布结构

171,271  导电迹线

172,272  绝缘层

18,28    导电组件

2        半导体封装件

20a      第一表面

20b      第二表面

24       光罩膜

23a      作用面

23b      非作用面

231      电极垫

25a      顶面

25b      底面

g        间隙

L        照光。

具体实施方式