[发明专利]搭载半导体元件的基板

权利要求书

1.一种搭载半导体元件的基板的制造方法，其是具有搭载于基板的一个面上的半导体元件的搭载半导体元件的基板的制造方法，其特征在于，具有下述工序：

在上述基板的上述一个面上形成粘接剂层的工序；

在上述粘接剂层上搭载上述半导体元件的工序；

在上述基板的上述一个面上设置第一绝缘片以填埋上述粘接剂层和上述半导体元件，并且在上述基板的另一个面上设置第二绝缘片的工序；

固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序。

2.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第一绝缘片具有用于填埋上述粘接剂层和上述半导体元件的第一片和纤维基材。

3.如权利要求2所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，在设置上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序之前，还具有在上述第一片上层叠第二片并进行一体化从而制成上述第一绝缘片的工序。

4.如权利要求3所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序，包括固化上述第一绝缘片的上述第一片和上述第二片的工序，由此，获得由上述第一片的固化物构成的第一层和由上述第二片的固化物构成的第一表层。

5.如权利要求4所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第一表层在玻璃化转变点Tg_a℃以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tg_a℃是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的上述第一表层的玻璃化转变点Tg_a℃。

6.如权利要求3所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第一片和上述第二片是通过相同的材料构成，并且上述第二片具有纤维基材。

7.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第二绝缘片具有在上述基板的上述另一个面上配置的第三片和纤维基材。

8.如权利要求7所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，在设置上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序之前，还具有在上述第三片上层叠第四片并进行一体化从而制成上述第二绝缘片的工序。

9.如权利要求8所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序，包括固化上述第二绝缘片的上述第三片和上述第四片的工序，由此，获得由上述第三片的固化物构成的第二层和由上述第四片的固化物构成的第二表层。

10.如权利要求9所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第二表层在玻璃化转变点Tg_a℃以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tg_a℃是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的上述第二表层的玻璃化转变点Tg_a℃。

11.如权利要求8所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第三片和上述第四片是通过相同的材料构成，并且上述第四片具有纤维基材。

12.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述半导体元件经由上述粘接剂层搭载在上述基板的上述一个面的中央部。

13.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，在设置上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序中，在上述基板上同时设置上述第一绝缘片和上述第二绝缘片。

14.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述粘接剂层的25℃时的储能模量是5～1000MPa。

15.如权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述粘接剂层通过粘接剂构成，上述粘接剂由含有（甲基）丙烯酸酯共聚物、环氧树脂、酚醛树脂、无机填充剂的树脂组合物构成。