[发明专利]搭载半导体元件的基板

说明书

本申请是申请日为2009年6月3日、申请号为200980121341.1、发明名称为“搭载半导体元件的基板”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种搭载半导体元件的基板。

背景技术

在电子仪器中，搭载有连接IC芯片、电容器等的半导体元件的基板。

近年来，伴随着电子仪器的小型化、高性能化，搭载于一个基板上的半导体元件的数量趋于增大，存在半导体元件的安装面积不足的问题。

为了解决这种问题，通过将半导体元件嵌入多层布线基板内，进行了确保半导体元件的安装面积、实现高密度封装化的尝试（例如，参照专利文献1）。

但是，在如此内置有半导体元件的搭载半导体元件的基板中，其结构形成上下不对称，此外，在物理性质上变得也不对称，因此，存在有在基板上发生翘曲等而导致搭载半导体元件的基板的可靠性降低的问题。

专利文献1：日本特开2005﹣236039号公报

发明内容

本发明的目的在于提供一种搭载半导体元件的基板，其能够防止翘曲的发生，并且能够防止内置的半导体元件从基板上剥离。

上述目的，通过下述（1）～（20）的本发明的技术方案来达成。

（1）一种搭载半导体元件的基板，其特征在于，具有：

基板、

搭载于上述基板的一个面上的半导体元件、

粘接上述基板与上述半导体元件的粘接层、

嵌入有上述半导体元件的第一层、

设置于上述基板的与上述第一层相反一侧的第二层、以及

设置于上述第一层上和上述第二层上的至少一层的表层，

并且，上述粘接层在25℃时的储能模量是5～1000Mpa；

上述表层在玻璃化转变点Tg_a[℃]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tg_a[℃]是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tg_a[℃]。

（2）如上述（1）所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述基板的平均厚度为T₁[μm]且上述第一层的平均厚度为T₂[μm]时，满足0.5≤T₂/T₁≤3.0的关系。

（3）如上述（1）或（2）所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层的平均厚度是5～50μm。

（4）如上述（1）至（3）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，当俯视上述第一层时的上述第一层的面积设为100时，俯视上述半导体元件时的上述半导体元件的面积是6～10；

当上述第一层的体积设为100时，上述半导体元件的体积是2～7。

（5）如上述（1）至（4）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层通过粘接剂构成，上述粘接剂由含有（甲基）丙烯酸酯共聚物、环氧树脂、酚醛树脂、无机填充剂的树脂组合物构成。

（6）如上述（1）至（5）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层的玻璃化转变点为0～180℃。

（7）如上述（1）至（6）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述第一层在玻璃化转变点Tg_b[℃]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为25～50ppm/℃，该玻璃化转变点Tg_b[℃]是在20℃以上且按照JIS C6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tg_b[℃]。

（8）如上述（1）至（7）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述第一层的25℃时的杨氏模量是2～10GPa。

（9）如上述（1）至（8）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，按照JIS C6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tg_b处于100～250℃的范围内。

（10）如上述（1）至（9）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述表层的25℃时的杨氏模量为X[GPa]、上述第一层的25℃时的杨氏模量为Y[GPa]时，满足0.5≤X﹣Y≤13的关系。

（11）如上述（1）至（10）中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层的25℃时的杨氏模量为4～15Gpa。