[发明专利]半导体封装件及其制法与制作系统有效

专利信息
申请号: 201310020015.X 申请日: 2013-01-18
公开(公告)号: CN103213937A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 黄玉龙 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园县中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法 制作 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,其特征在于,包括:

基板,其具有置晶区与位于该置晶区外围的电性连接垫;

第一芯片,其设于该基板的置晶区上;

第二芯片,其设于该第一芯片上,且其侧面对应该置晶区,以外露该电性连接垫;

第一保护层,其形成于该第二芯片的部分表面上且延伸至邻近该电性连接垫的侧边;以及

第二保护层,其形成于该第二芯片的部分表面上并连接该第一保护层,且该第一保护层的脆性大于该第二保护层的脆性。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该基板为芯片结构。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该第一芯片或该第二芯片具有微机电系统。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该第一芯片通过凸块设于该基板上。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该第二芯片具有通孔,以外露出部分的该第一芯片。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其特征在于,该第二保护层还封盖该通孔。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该第一保护层的材质为脆性材质。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该第二保护层的材质为胶材。

9.一种半导体封装件的制法,其特征在于,包括:

于一具有电性连接垫的基板上设置第一晶圆;

于该第一晶圆上堆栈第二晶圆,且该第二晶圆上具有对应该电性连接垫的预开口区;

形成保护层于该第二晶圆上;

脆化位于该预开口区上的保护层;以及

移除该预开口区上的经脆化的保护层、第二晶圆与第一晶圆,以形成用以外露该电性连接垫的开口。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该基板为晶圆结构。

11.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该保护层的材质为感旋光性材质。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该脆化制程以光线照射该预开口区上的保护层而令该感旋光性材质脆化。

13.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,通过切割方式,移除该预开口区的第二晶圆与该经脆化的保护层。

14.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括先蚀刻该第二晶圆以形成通孔,再形成该保护层,以封盖该通孔。

15.一种制作半导体封装件的系统,其特征在于,包括:

承载装置,其用以承载半导体封装件,该半导体封装件于一具有电性连接垫的基板上依序设置第一晶圆与第二晶圆,且该第二晶圆上具有对应该电性连接垫的预开口区;

封模装置,其用以形成保护层于该第二晶圆上;

脆化装置,其用以脆化位于该预开口区上的保护层;以及

切割装置,其用以沿该预开口区切割该基板上的第一与第二晶圆,以移除经脆化的保护层、部分第二晶圆与部分第一晶圆,以形成用以外露该电性连接垫的开口。

16.根据权利要求15所述的制作半导体封装件的系统,其特征在于,该脆化装置具有光源,以提供光线照射该预开口区上的保护层。

17.根据权利要求15所述的制作半导体封装件的系统,其特征在于,该切割装置为激光式或刀具式切割装置。

18.根据权利要求15所述的制作半导体封装件的系统,其特征在于,该系统还包括成孔装置,其用以于该第二晶圆上形成通孔,再通过该封模装置形成该保护层,以封盖该通孔。

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