[发明专利]半导体封装件及其制法与制作系统有效
申请号: | 201310020015.X | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN103213937A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 黄玉龙 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 制作 系统 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体封装件,尤指一种半导体封装件及其制法与制作系统。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品的功能需求随之增加,而为满足多功能的使用需求,电子产品中的电路板上需布设多样功能的半导体封装件与电子组件。然而,半导体封装件与电子组件的数量增加,势必增加电路板的布设空间,因而增加电子产品的体积,导致电子产品无法满足微小化的需求。因此,为了满足微小化的需求,现有技术为提高整合度,也就是将半导体封装件整合电子组件以成为微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)封装件,不仅可减少电路板的布设空间从而减少电子产品的体积,而且能维持多功能的需求。
图1A至图1B为现有半导体封装件1的制法。如图1A所示,其于一具有电性连接垫100的基板10上设置一第一晶圆11,并将一第二晶圆12结合于该第一晶圆11上,再于该第二晶圆12上形成通孔12a。接着,形成胶层13于该第二晶圆12上,以封盖该通孔12a。如图1B所示,通过刀具(图未示)沿切割线L(如图1A所示)切割移除该胶层13与第二晶圆12,以外露该电性连接垫100。在后续制程中,先固化该胶层13以移除该胶层13,再将电子组件(图未示)置纳于该通孔12a中,且该电性连接垫100并以打线方式电性连接其它电子装置(图未示)。
但,上述现有切割制程中,该刀具必需切经胶层13,往往会因该胶层13粘着于刀具上而造成刀具于切割时的阻力,因而不利于切割,且于切割后,该刀具上往往会残留胶材,导致刀具不易清理,也使刀具容易损坏。
此外,因该胶层13具有粘性,所以于切割制程完成后,难以清除落于该电性连接垫100上的胶层13的余屑13a,导致该电性连接垫100的电性易受影响。
因此,如何克服上述现有技术中的种种问题,实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
为克服上述现有技术的问题,本发明的主要目的在于提供一种半导体封装件及其制法与制作系统,可避免胶材粘着于刀具上。
本发明的半导体封装件的制法,包括:于一具有电性连接垫的基板上设置第一晶圆;于该第一晶圆上堆栈第二晶圆,且该第二晶圆上具有对应该电性连接垫的预开口区;形成保护层于该第二晶圆上;脆化位于该预开口区上的保护层;以及移除该预开口区上的经脆化的保护层、第二晶圆与第一晶圆,以形成用以外露该电性连接垫的开口。
此外,因该保护层不具有粘性,所以于切割制程后,易于清除落于该电性连接垫上的保护层上的余屑。
本发明还提供一种制作半导体封装件的系统,包括:承载装置,其用以承载半导体封装件,该半导体封装件于一具有电性连接垫的基板上依序设置第一晶圆与第二晶圆,且该第二晶圆上具有对应该电性连接垫的预开口区;封模装置,其用以形成保护层于该第二晶圆上;脆化装置,其用以脆化位于该预开口区上的保护层;以及切割装置,其用以沿该预开口区切割该基板上的第一与第二晶圆,以移除经脆化的保护层、部分第二晶圆与部分第一晶圆,以形成用以外露该电性连接垫的开口。
本发明还提供一种半导体封装件,包括:基板,其具有置晶区与位于该置晶区外围的电性连接垫;第一芯片,其设于该基板的置晶区上;第二芯片,其设于该第一芯片上,且其侧面对应该置晶区,以外露该电性连接垫;第一保护层,其形成于该第二芯片的部分表面上且延伸至邻近该电性连接垫的侧边;以及第二保护层,其形成于该第二芯片的部分表面上并连接该第一保护层,且该第一保护层的脆性大于该第二保护层的脆性。
附图说明
图1A至图1B为现有半导体封装件的制法的剖面示意图;
图2A至图2D为本发明半导体封装件的制法的剖面示意图;以及
图3为本发明制作半导体封装件的系统的示意图。
附图中符号的简单说明如下:
1,2:半导体封装件;10,20:基板;100,200:电性连接垫;11,21:第一晶圆;12,22:第二晶圆;12a,22a:通孔;13:胶层;13a:余屑;21’:第一芯片;21a:第一开口;210:止蚀层;211:陀螺仪;212:凸块;22’:第二芯片;22c:侧面;220:第二开口;23:保护层;23a:第一保护层;23b:第二保护层;230:第三开口;S31:承载装置;S32:成孔装置;S33:封模装置;S34:脆化装置;S35:切割装置;A:预开口区;W:置晶区;L:切割线。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。
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