[发明专利]有机氧化镍电阻存储器薄膜的制备及其电学性能测试方法

权利要求书

1.有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，采用浸渍提拉法，使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后干燥，然后对其进行顶电极的溅射，即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜。

2.根据权利要求1所述的有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，所述有机氧化镍溶胶由醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸和乙二醇甲醚以摩尔比为1:1:1:26-30混合而成，首先将醋酸镍、乙酰丙酮和乙二醇甲醚以摩尔比1:1:26-30混合后搅拌5-6h，待充分溶解后再以醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸摩尔比为1:1:1加入丙烯酸，再搅拌1-2h后陈化20-24h。

3.根据权利要求1或2所述的有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，所述顶电极的溅射在真空度为1×10^-3Pa的溅射仪上进行，所述溅射仪上溅射靶材为铂，纯度为99.9%。

4.根据权利要求3所述的有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于：所述顶电极的溅射时间为10-15min。

5.根据权利要求1-4任一所述的制备方法制备的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能测试方法，其特征在于，其具体步骤如下：

步骤1，将有机氧化镍电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接，用金属铟将引线与测试点采用压铟法连接，其中两根引线连接顶电极铂层其分离并独立，另外两根引线连接底电极其分离并独立；

步骤2，将连接有四根引线的有机氧化镍电阻存储器薄膜固定在样品台上后放入材料综合物性测量仪中，测量其阻变特性并进行疲劳测试。

6.根据权利要求5所述的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能测试方法，其特征在于，所述步骤1中引线采用金线，纯度为99.9%。

7.根据权利要求5或6所述有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能测试方法，其特征在于，所述步骤2中材料综合物性测量仪设置为电学性能测试，即伏安特性模式，并且温度以10K/min的降温速度降至50-300K，温度达到50-300K后保温15min后进行伏安特性曲线测试，电流保护限设为1mA。

8.根据权利要求5所述的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能测试方法，其特征在于，所述步骤2中疲劳测试的循环次数为1000次。