[发明专利]有机氧化镍电阻存储器薄膜的制备及其电学性能测试方法

说明书

技术领域

本发明属于微电子有机材料技术领域，涉及一种有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，本发明还涉及上述有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能的测试方法。

背景技术

有机薄膜器件中有机薄膜的制备方法非常重要，不同方法制备的薄膜质量不同，这直接影响着器件的效率，制备方法直接影响到产业化中的器件制备成本。随着有机薄膜器件制备工艺的发展，现有制备工艺主要有真空蒸发镀膜法和有机气相沉积技术，这两种方法制备的有机氧化镍电阻存储器薄膜的面积大，制备效率较高；其不足之处在于利用这两种方法制备有机氧化镍电阻存储器薄膜所需的设备昂贵，工艺复杂，因此成本高。

发明内容

本发明的目的是提供一种有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，解决了现有制备方法存在的设备昂贵和工艺复杂的问题。

本发明的另一目的是提供采用上述制备方法制备的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能的测试方法。

本发明所采用的技术方案是，有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，采用浸渍提拉法，使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后在室温下干燥，然后对其进行顶电极的溅射，即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜。

本发明的特点还在于，

有机氧化镍溶胶由醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸和乙二醇甲醚以摩尔比为1:1:1:26-30混合而成，首先将醋酸镍、乙酰丙酮和乙二醇甲醚以摩尔比1:1:26-30混合后搅拌5-6h，待充分溶解后再以醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸摩尔比为1:1:1加入丙烯酸，再搅拌1-2h后陈化20-24h。

顶电极的溅射在真空度为1×10^-3Pa的溅射仪上进行，溅射仪上溅射靶材为铂，纯度为99.9%。

顶电极的溅射时间为10-15min。

本发明所采用的另一技术方案是，采用上述制备方法制备的有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能的测试方法，具体步骤如下：

步骤1，将有机氧化镍电阻存储器薄膜采用四根引线法进行连接，用金属铟将引线与测试点采用压铟法连接，其中两根引线连接顶电极铂层其分离并独立，另外两根引线连接底电极其分离并独立；

步骤2，将连接有四根引线的有机氧化镍电阻存储器薄膜固定在样品台上后放入材料综合物性测量仪中，测量其阻变特性并进行疲劳测试。

本发明的特点还在于，

步骤1中引线采用金线，纯度为99.9%。

步骤2中材料综合物性测量仪设置为电学性能测试，即伏安特性模式，并且温度以10K/min的降温速度降至50-300K，温度达到50-300K后保温15min后进行伏安特性曲线测试，电流保护限设为1mA；

步骤2中疲劳测试的循环次数为1000次。

本发明的有益效果是，

1.本发明有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法薄膜的制备效率较高、工艺简单、操作方便，因此成本低。

2.本发明有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能的测试方法测试设备的制冷系统采用可循环氦气，环保、成本低。

3.本发明有机氧化镍电阻存储器薄膜电学性能的测试方法，测试温度控制准确，能够实现连续变温测试和不同温度下的疲劳测试，并且其操作简单。

附图说明

图1是本发明实施例1中步骤2得到的有机氧化镍薄膜的原子力显微镜扫描图；

图2是本发明实施例1中步骤2得到的有机氧化镍薄膜中超导电极的电阻-温度性能曲线图；

图3是本发明实施例1得到的有机氧化镍电阻存储器薄膜在50K下的伏安特性曲线图；

图4是本发明实施例1得到的有机氧化镍电阻存储器薄膜在100K下的伏安特性曲线图；

图5是本发明实施例1得到的有机氧化镍电阻存储器薄膜在300K下的伏安特性曲线图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本发明有机氧化镍电阻存储器薄膜制备方法，采用浸渍提拉法，使用提拉机将有机氧化镍溶胶在超导电极基板上进行薄膜提拉后在室温下干燥，然后对其进行顶电极的溅射，即得到有机氧化镍电阻存储器薄膜。

其具体步骤如下：

步骤1，首先将醋酸镍、乙酰丙酮和乙二醇甲醚以摩尔比1:1:26-30混合后搅拌5-6h，待充分溶解后以醋酸镍、乙酰丙酮、丙烯酸摩尔比为1:1:1加入丙烯酸，再搅拌1-2h后陈化20-24h，即得到有机氧化镍溶胶；