[发明专利]封装方法和封装器件

权利要求书

1.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体上方形成第一再分布层(RDL)；

在所述第一RDL上方形成多个装配通孔(TAV)；

将集成电路管芯连接在所述第一RDL上方；

在所述第一RDL、所述TAV和所述集成电路管芯上方形成模塑料；以及

在所述模塑料、所述TAV和所述集成电路管芯上方形成第二RDL。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述载体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述集成电路管芯连接在所述第一RDL上方包括：使用管芯粘附膜(DAF)或粘合剂将所述集成电路管芯附接至所述第一RDL。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将多个导电凸块连接至所述第二RDL。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述集成电路管芯连接在所述第一RDL上方包括：连接包括设置在集成电路管芯表面上的绝缘材料内的多个接触件的集成电路管芯，并且形成所述第二RDL包括：将所述第二RDL的部分连接至所述集成电路管芯的表面上的所述多个接触件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个TAV包括在部分所述第一RDL上方镀所述多个TAV。

7.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：

在载体上方形成第一绝缘材料；

图案化所述第一绝缘材料；

在图案化的第一绝缘材料上方形成第一导电材料；

图案化所述第一导电材料；

在图案化的第一导电材料和所述图案化的第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料；

图案化所述第二绝缘材料以露出位于所述第二绝缘材料的边界区域中的部分所述第一导电材料；

在所述第二绝缘材料的所述边界区域中，在所述第一导电材料的露出部分上方形成多个装配通孔(TAV)；

将集成电路管芯连接在所述第二绝缘材料的中心区域中的所述第二绝缘材料上方；

在所述多个TAV和所述集成电路管芯之间的所述第二绝缘材料上方形成模塑料；

在所述多个TAV、所述集成电路管芯和所述第二绝缘材料上方形成第三绝缘材料；

图案化所述第三绝缘材料；

在图案化的第三绝缘材料上方形成第二导电材料；

图案化所述第二导电材料；

在图案化的第二导电材料和所述图案化的第三绝缘材料上方形成第四绝缘材料；

图案化所述第四绝缘材料以露出部分所述第二导电材料；

在所述第二导电材料的露出部分上方形成多个导电凸块；以及

去除所述载体。

8.一种封装半导体器件，包括：

第一再分布层(RDL)；

集成电路管芯，设置在所述第一RDL的中心区域上方；

管芯粘附膜(DAF)或粘合剂，设置在所述第一RDL和所述集成电路管芯之间；

第二RDL，设置在所述集成电路管芯上方并与所述集成电路管芯电连接；

模塑料，设置在所述第一RDL和所述第二RDL之间；以及

多个装配通孔(TAV)，设置在所述第一RDL的边界区域中的所述模塑料中。

9.根据权利要求8所述的封装半导体器件，进一步包括连接至所述第二RDL的多个导电凸块。

10.一种叠层封装(PoP)器件，包括根据权利要求9所述的封装半导体器件。