[发明专利]封装方法和封装器件

说明书

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及封装方法和封装器件。

背景技术

半导体器件被用于各种电子应用，诸如个人计算机、移动电话、数码相机和其它电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序地沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体材料层，然后使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路部件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过持续减小最小部件尺寸来不断提高各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的部件集成到给定面积中。在一些应用中，这些更小的电子部件还需要更小的封装件，其使用比过去的封装件更小的面积。

叠层封装(PoP)技术因为其允许将集成电路密集地集成到较小整体封装件中的能力而越来越受欢迎。PoP技术应用于许多先进的手持设备，诸如智能电话和平板电脑。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种封装半导体器件的方法，包括：在载体上方形成第一再分布层(RDL)；在第一RDL上方形成多个装配通孔(TAV)；将集成电路管芯连接在第一RDL上方；在第一RDL、TAV和集成电路管芯上方形成模塑料；以及在模塑料、TAV和集成电路管芯上方形成第二RDL。

优选地，该方法进一步包括去除载体。

优选地，将集成电路管芯连接在第一RDL上方包括：使用管芯粘附膜(DAF)或粘合剂将集成电路管芯附接至第一RDL。

优选地，该方法进一步包括将多个导电凸块连接至第二RDL。

优选地，将集成电路管芯连接在第一RDL上方包括：连接包括设置在集成电路管芯表面上的绝缘材料内的多个接触件的集成电路管芯，并且形成第二RDL包括：将第二RDL的部分连接至集成电路管芯的表面上的多个接触件。

优选地，形成多个TAV包括在部分第一RDL上方镀多个TAV。

优选地，形成多个TAV包括在第一RDL的边界区域中形成多个TAV。

优选地，将集成电路管芯连接在第一RDL上方包括将集成电路管芯连接至第一RDL的中心区域。

根据本发明的另一方面，提供了一种封装半导体器件的方法，包括：在载体上方形成第一绝缘材料；图案化第一绝缘材料；在图案化的第一绝缘材料上方形成第一导电材料；图案化第一导电材料；在图案化的第一导电材料和图案化的第一绝缘材料上方形成第二绝缘材料；图案化第二绝缘材料以露出位于第二绝缘材料的边界区域中的部分第一导电材料；在第二绝缘材料的边界区域中，在第一导电材料的露出部分上方形成多个装配通孔(TAV)；将集成电路管芯连接在第二绝缘材料的中心区域中的第二绝缘材料上方；在多个TAV和集成电路管芯之间的第二绝缘材料上方形成模塑料；在多个TAV、集成电路管芯和第二绝缘材料上方形成第三绝缘材料；图案化第三绝缘材料；在图案化的第三绝缘材料上方形成第二导电材料；图案化第二导电材料；在图案化的第二导电材料和图案化的第三绝缘材料上方形成第四绝缘材料；图案化第四绝缘材料以露出部分第二导电材料；在第二导电材料的露出部分上方形成多个导电凸块；以及去除载体。

优选地，在多个TAV和集成电路管芯之间的第二绝缘材料上方形成模塑料包括：在多个TAV的顶面上方和集成电路管芯的顶面上方形成模塑料，并且该方法进一步包括：从多个TAV的顶面上方和集成电路管芯的顶面上方去除模塑料。

优选地，从多个TAV的顶面上方和集成电路管芯的顶面上方去除模塑料包括化学机械抛光(CMP)工艺、蚀刻工艺或它们的组合。

优选地，形成第一绝缘材料、形成第二绝缘材料、形成第三绝缘材料或形成第四绝缘材料包括形成选自基本由聚酰亚胺、聚合物、聚苯并恶唑(PBO)和它们的组合所组成的组中的材料。

优选地，将集成电路管芯连接在第二绝缘材料上方包括连接包括位于集成电路管芯表面上的多个接触件的集成电路管芯。

优选地，图案化第三绝缘材料包括露出位于集成电路管芯的表面上的多个接触件，并且在图案化的第三绝缘材料上方形成第二导电材料包括将部分第二导电材料连接至位于集成电路管芯的表面上的多个接触件。

根据本发明的又一方面，提供了一种封装半导体器件，包括：第一再分布层(RDL)；集成电路管芯，设置在第一RDL的中心区域上方；管芯粘附膜(DAF)或粘合剂，设置在第一RDL和集成电路管芯之间；第二RDL，设置在集成电路管芯上方并与集成电路管芯电连接；模塑料，设置在第一RDL和第二RDL之间；以及多个装配通孔(TAV)，设置在第一RDL的边界区域中的模塑料中。