[发明专利]一种芯片载板的复合方法及根据该方法制得的芯片载板

说明书

技术领域

本发明涉及一种芯片载板的复合方法及根据该方法制得的芯片载板。

背景技术

随着芯片（半导体&LED）功率的加大及芯片轻薄化小型化的发展趋势，芯片的散热性愈显重要，同时对其结构的精度要求也更高。

现今在芯片的封装领域，芯片的载板需要加工出承载芯片的凹杯，传统的凹杯大都以减法的方式加工，即将载板各层复合好后，再在其上以物理手段挖出一个凹杯，但这种加工方式使得凹杯底部的承载面不够平整布满螺纹，凹杯与承载面相接的位置难以做成直角，使得芯片安装时对位困难，影响了后续的安装配合，还会导致较高的不良率，增加了成本。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种芯片载板的复合方法，将固态导热胶应用于光电散热载板，同时采用增法工艺来加工芯片载板的凹杯，使得载板具有很好的散热性能，成本降低的同时结构精度更高，本发明同时还提供了一种根据该方法制得的芯片载板。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种芯片载板的复合方法，包括以下步骤：

a.   提供固态导热胶以及金属基板Ⅰ和金属基板Ⅱ，金属基板Ⅱ作为承载板使用；

b.   将金属基板Ⅰ和固态导热胶进行复合处理；

c.   在金属基板Ⅰ和固态导热胶复合处理后的复合板上冲孔，形成一个承载芯片的凹杯；

d.   将冲孔后的复合板具有固态导热胶的一面与金属基板Ⅱ进行真空压合。

为了对金属基板Ⅰ和/或金属基板Ⅱ进行清洗，并在其表面形成一定的粗糙度，方便各层复合，还可以在步骤a之前对金属基板Ⅰ和/或金属基板Ⅱ进行粗化、清洗、钝化、氧化和干燥处理。

为了体现外观，还可以在步骤d之后对金属基板Ⅰ、金属基板Ⅱ和固态导热胶进行着色处理。

进行步骤d的真空压合时，温度为160～190℃，真空度为400～760mm Hg，压合时间为50～80分钟。

所述的金属基板Ⅰ、金属基板Ⅱ为铝基板、铜基板、铁基板或铜合金基板。

进一步，所述的固态导热胶包括树脂和填料，其组成成分的质量百分比，改性高温酚醛树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂和聚酰亚胺树脂占20～30%，氧化铝AL₂O₃占50～60%，氮化硼BN占5～10%。

进一步，所述的金属基板Ⅰ和金属基板Ⅱ尺寸相同。

根据上述芯片载板的复合方法加工得到的芯片载板，包括作为承载板的金属基板Ⅱ，以及复合安装在金属基板Ⅱ上的复合板，所述的复合板包括贴合于承载板的固态导热胶和设置在固态导热胶上的金属基板Ⅰ，所述的复合板上设置有用于安放芯片的凹杯。

本发明的有益效果是：摒弃过去的先复合再冲孔的减法模式，采用先冲孔再复合的增法工艺，使得芯片载板的结构精度更高，同时降低了成本；将固态导热胶应用于光电散热载板上，使其散热性能更好，针对芯片封装开创了固态导热胶应用的新领域。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明所述芯片载板与芯片的安装结构示意图；

图2是本发明所述芯片载板的结构示意图。

具体实施方式

参照图1和图2，本发明的一种芯片载板的复合方法，包括以下步骤：

a.   提供固态导热胶3以及金属基板Ⅰ1和金属基板Ⅱ2，所述的金属基板Ⅰ1和金属基板Ⅱ2尺寸相同，金属基板Ⅱ2作为承载板使用；

b.   将金属基板Ⅰ1和固态导热胶3进行复合处理，复合过程只需要将固态导热胶3与金属基板Ⅰ1贴合的一面稍微加热再贴近，就能依靠固态导热胶3交联固化的附着力使两者复合；

c.   在金属基板Ⅰ1和固态导热胶3复合处理后的复合板上冲孔，形成一个承载芯片5的凹杯4；

d.   将冲孔后的复合板具有固态导热胶3的一面与金属基板Ⅱ2进行真空压合，在本具体实施方式中，温度控制在160～190℃，真空度为400～760mm Hg，压合时间为50～80分钟。

为了对金属基板Ⅰ1和/或金属基板Ⅱ2进行清洗，并在其表面形成一定的粗糙度，方便各层复合，在步骤a之前对金属基板Ⅰ1和金属基板Ⅱ2进行粗化、清洗、钝化、氧化和干燥处理。

为了体现外观，还可以在步骤d之后对金属基板Ⅰ1、金属基板Ⅱ2和固态导热胶3进行着色处理。着色可以是黑色、金色、银灰色、绿色等颜色。

所述的金属基板Ⅰ1、金属基板Ⅱ2为铝基板、铜基板、铁基板或铜合金基板。