[发明专利]一种离子束精确掺杂单根纳米带的方法有效
| 申请号： | 201310022838.6 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103107071A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 肖湘衡;李文庆;戴志高;任峰;蒋昌忠 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 汪俊锋 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子束 精确 掺杂 纳米 方法 | ||
1.一种掺杂单根纳米带的方法，其特征在于：
（1）用真空蒸镀技术在二氧化硅上镀上金纳米层作为催化剂，然后使用热蒸发方法在二氧化硅上生长硫化镉纳米带；
（2）使用光刻技术在硅片上做出标记，通过机械转移的方法把硫化镉纳米带转移到标记过的硅片上；
（3）通过扫描电子显微镜或光学显微镜选取需要掺杂的单根纳米带，并通过标记对选取的单根纳米带进行定位；
（4）将硫化镉纳米带连同硅片放在离子注入机中，进行杂质离子注入；
（5）在300~400 ℃下，惰性气氛中进行退火处理20~60分钟，通过标记找到之前定位的单根纳米带。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用热蒸发方法在二氧化硅上生长硫化镉纳米带的温度为850 ℃，保温时间为30分钟，通入的气体为氩气，气流量为200 sccm，硫化镉粉末和二氧化硅基底的距离为12 cm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的机械转移方法即是把长有硫化镉纳米带的样品压在标记过的硅片上轻敲数下。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，杂质离子的注入能量为30 keV，剂量为5 1015~11016ions/cm2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，杂质离子注入后退火升温的速率为16 ℃/min，所述惰性气氛为氩气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
