[发明专利]一次焊接封装工装结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种一次焊接封装工装结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

IGBT具有高频率、高电压、大电流、特别是容易开通和关断的性能特点，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品，至今已经发展到第六代，商业化已发展到第五代。目前，IGBT已广泛应用于国民经济的各行业中。

目前，IGBT模块制造过程关键是焊接工艺，焊接工艺包括了芯片与DBC之间的焊接,DBC与底板间的焊接以及电极与DBC之间的焊接。将芯片与DBC的焊接称为一次焊接，一次焊接是模块封装工序中第一道工序，也是最基础的一道工序。一个模块包含了若干个DBC，而每个DBC上又会焊接若干个芯片，芯片和芯片之间以及DBC与DBC之间靠键合铝线完成特定的电路连接。确保一次焊接后所有芯片都毫无破碎是模块封装的基础，一次焊接质量决定了模块最终性能。

现有的一次焊接封装工装包括底板，定位板，顶板。底板的作用是用来固定DBC基板，定位板是用来定位芯片位置，顶板上的定位销压在芯片中心位置。首先将DBC放在底板凹槽中，盖上定位板，依次将焊片和芯片放入定位板开孔位置，由于高温下焊料会融化并向四周漂移，芯片很容易紧挨上定位板开孔的四周边上，焊接完成后拆除定位板时芯片极易破碎。现有的定位板开孔的大小由芯片尺寸决定，通常定位板开孔会留有一定的余量，避免一次焊接时芯片漂移后紧挨开孔四周。

现有定位板开孔虽留有一定的余量，但由于高温下焊料融化后会随机向四周漂移，余量太小芯片很容易紧挨上开孔的四周边上，拆除定位板时芯片极易破碎，造成整个子单元废弃。但余量又不能太大，否则芯片无法定位到指定位置，手工调整增加操作复杂度，影响装配进度，很难精确调整到指定位置。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种一次焊接封装工装结构。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种一次焊接封装工装结构，其将定位板的底面直通状更改为台阶形状，增大了定位板的开孔余量。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种一次焊接封装工装结构，包括底板、固定于所述底板上的定位板、以及固定于所述定位板上的顶板，所述定位板底面上设有向内凹陷的第一收容部，定位板上顶面上设有向内凹陷的第二收容部，所述第一收容部和第二收容部之间设有贯穿的第三收容部，第三收容部的截面小于第一收容部及第二收容部的截面，每个第三收容部上设有若干芯片收容槽。

作为本发明的进一步改进，所述第一收容部和第二收容部设为长方形或正方形。

作为本发明的进一步改进，所述第一收容部和第二收容部在四个角上设有向外延伸的圆弧部。

作为本发明的进一步改进，所述芯片收容槽设为长方形或正方形。

作为本发明的进一步改进，所述芯片收容槽在四个角上设有向外延伸的圆弧部。

作为本发明的进一步改进，所述每个第三收容部上不同的芯片收容槽之间设有用于固定芯片的止挡部。

作为本发明的进一步改进，所述止挡部延伸至第一收容部且与定位板底面平齐设置。

本发明的有益效果是：本发明一次焊接封装工装结构通过增加第一收容部，将定位板开孔由直通形状改为台阶状，既增大了定位板开孔余量，又容易定位芯片，同时保证焊接后即使芯片漂移也不易紧挨开孔的四周边上，芯片不容易破碎，提高了产品质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术一次焊接封装工装的立体结构示意图；

图2为现有技术一次焊接封装工装中定位板的正面结构示意图；