[发明专利]半导体测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201310024105.6 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103941171B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 方法 | ||
1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一测试端、第二测试端和呈矩阵排列的若干MOS晶体管，所述MOS晶体管的源极、漏极、衬底接地，所述MOS晶体管包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，位于所述矩阵中间位置的第一MOS晶体管的栅极与第一测试端相连接，位于所述矩阵边缘位置的第二MOS晶体管的栅极与第二测试端相连接。
2.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二MOS晶体管位于所述矩阵的最边缘位置，且所述第一MOS晶体管为除去所述第二MOS晶体管后剩余的MOS晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体测试结构，其特征在于，所述矩阵为N×M矩阵，所述第二MOS晶体管的数量为2N+2M-4，所述第一MOS晶体管的数量为(N-2)(M-2)，且2N+2M-4＝(N-2)(M-2)。
4.如权利要求3所述的半导体测试结构，其特征在于，所述矩阵为5×12矩阵、6×8矩阵、8×6矩阵或12×5矩阵。
5.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第二MOS晶体管位于所述矩阵的最边缘位置，所述第一MOS晶体管位于所述矩阵的最中间位置，所述第二MOS晶体管与第一MOS晶体管之间具有至少一圈第三MOS晶体管。
6.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述矩阵为N×M矩阵，所述第二MOS晶体管的数量为2N+2M-4，所述第一MOS晶体管的数量为(N-4)(M-4)，且2N+2M-4＝(N-4)(M-4)。
7.如权利要求6所述的半导体测试结构，其特征在于，所述矩阵为7×22矩阵、8×14矩阵、14×8矩阵或22×7矩阵。
8.如权利要求5所述的半导体测试结构，其特征在于，所述矩阵为N×M矩阵，所述第二MOS晶体管的数量为2N+2M-4，所述第一MOS晶体管的数量为(N-6)(M-6)，且2N+2M-4＝(N-6)(M-6)。
9.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一MOS晶体管的数量和第二MOS晶体管的数量相同。
10.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述第一MOS晶体管、第二MOS晶体管的数量与所述半导体测试结构的测试精度相对应。
11.如权利要求1所述的半导体测试结构，其特征在于，所述MOS晶体管的尺寸、结构、材料、类型、形成工艺相同。
12.一种利用如权利要求1所述的半导体测试结构的测试方法，其特征在于，包括：
在所述第一测试端施加测试信号，利用所述测试信号对第一MOS晶体管的栅介质层进行测试；
在所述第二测试端施加测试信号，利用所述测试信号对第二MOS晶体管的栅介质层进行测试。
13.如权利要求12所述的测试方法，其特征在于，利用所述测试信号对第一MOS晶体管、第二MOS晶体管进行与时间相关电介质击穿测试和瞬时击穿测试。
14.如权利要求12所述的测试方法，其特征在于，所述测试信号为恒定电流、恒定电压、斜坡电流或斜坡电压。
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