[发明专利]层叠封装结构中的无源器件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及层叠封装结构中的无源器件及其形成方法。

背景技术

无源器件(诸如电感器、变压器、传输线等)通常被用于射频(RF)应用。无源器件可嵌入芯片上系统(SoC)应用。然而，无源器件的性能(诸如Q因数)由于附近硅衬底中产生的涡电流而较低。当封装器件管芯时，无源器件也可以形成在玻璃衬底上或者器件管芯的扇出结构中。然而，结果仍然不令人满意。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种器件，包括：聚合物；器件管芯，位于聚合物中；以及无源器件。无源器件包括：三个组件通孔(TAV)，穿透聚合物，三个TAV串联连接；以及第一再分布线(RDL)，位于聚合物下方，第一RDL将三个TAV中的第一个TAV与三个TAV中的第二个TAV电连接。

优选地，三个TAV包括：顶端，与聚合物的顶面平齐；以及底端，与器件管芯的金属柱的端部平齐。

优选地，聚合物包括模塑料。

优选地，无源器件进一步包括位于聚合物上方的第二RDL，第二RDL将三个TAV中的第二个TAV与三个TAV中的第三个TAV电连接。

优选地，无源器件进一步包括三个焊球，每个焊球均位于三个TAV中的一个的上方并与这一个TAV电连接，并且三个焊球和三个TAV串联连接。

优选地，无源器件包括线圈，并且线圈的轴平行于器件管芯的背面。

优选地，无源器件进一步包括平行于线圈的轴的顺磁线，顺磁线包括顺磁材料。

优选地，无源器件包括电感器。

根据本发明的另一方面，提供了一种器件，包括：器件管芯，在器件管芯的第一表面处包括多个金属部件；模塑料，器件管芯模制在其中，所述模塑料包括与器件管芯的第二表面平齐的顶面和与多个金属部件的端部平齐的底面；以及无源器件，包括线圈，线圈包括穿透所述模塑料的多个组件通孔(TAV)和位于模塑料下方的多条第一再分布线(RDL)，多条第一RDL和多个TAV串联电连接。

优选地，多个TAV包括：第一端部，与模塑料的顶面平齐；以及第二端部，与模塑料的底面平齐。

优选地，无源器件进一步包括位于模塑料上方的多条第二RDL，并且多条第二RDL电互连多个第二TAV。

优选地，该器件进一步包括：位于多条第二RDL上方并与多条第二RDL接合的封装部件。

优选地，无源器件进一步包括多个焊球，多个焊球中的每一个焊球都位于多个TAV中的一个上方并与这一个TAV电连接，并且多个焊球和多个TAV串联连接。

优选地，线圈的轴平行于器件管芯的主面。

优选地，无源器件进一步包括平行于线圈的轴的顺磁线，并且顺磁线包括顺磁材料。

根据本发明的又一方面，提供了一种方法，包括：将器件管芯放置在载体上方；在载体上方形成多个组件通孔(TAV)；在聚合物中模制器件管芯和多个TAV；减薄所述聚合物，在减薄步骤之后，TAV的端部与器件管芯的导电部件的端部平齐，并且通过聚合物暴露所述TAV的端部和导电部件的端部；在聚合物的第一侧上形成多条第一再分布线(RDL)，多条第一RDL电连接至多个TAV；以及使用多条导线互连多个TAV以形成无源器件，多条导线和多条第一RDL位于聚合物的相对侧上，并且无源器件包括多条第一RDL中的一条和多个TAV。

优选地，互连多个TAV的步骤包括形成多条第二RDL作为多条导线。

优选地，互连多个TAV的步骤包括将封装部件接合至多个TAV，封装部件中的导线形成无源器件的一部分，并且封装部件中的导线和多个TAV串联连接。

优选地，使用多个焊球执行接合步骤，多个焊球和多个TAV串联连接，并且多个焊球形成部分无源器件。

优选地，无源器件包括线圈，该方法进一步包括形成平行于线圈的轴并位于线圈内的顺磁线，并且在形成多条第一RDL中的一条时同时形成顺磁线。

附图说明

为了更加完整地理解本实施例及其优点，现在接合附图作为参考进行下列的描述，其中：

图1至图10是根据一些示例性实施例的制造层叠封装(PoP)结构的中间阶段的截面图；

图11和图12示出了根据可选实施例的制造PoP结构的中间阶段的截面图；以及

图13和图14分别示出了图10和12所示PoP结构中的无源器件的一部分的立体图。

具体实施方式