[发明专利]存储器漏电控制装置有效
| 申请号： | 201310026315.9 | 申请日： | 2013-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943139B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张昆辉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4074 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 赵根喜,吕俊清 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 漏电 控制 装置 | ||
1.一种存储器漏电控制装置，包括：
一存储器电路；
一第一功率晶体管，耦接于该存储器电路与一位元线电压之间；
一第二功率晶体管，耦接于该存储器电路与一接地电压之间；以及
一漏电控制单元，耦接该第一功率晶体管与该第二功率晶体管的栅极与基底，于该存储器电路处于待机状态时分别调整施加于该第一功率晶体管与该第二功率晶体管的栅极电压与基底电压的至少其一，以加强抑制流经该第一功率晶体管与该第二功率晶体管的漏电电流。
2.如权利要求1所述的存储器漏电控制装置，其中该第一功率晶体管为一P型功率晶体管，该第二功率晶体管为一N型功率晶体管。
3.如权利要求2所述的存储器漏电控制装置，其中该漏电控制单元更于该存储器电路处于待机状态时将施加于该第一功率晶体管的栅极的一第一栅极电压调整至大于该位元线电压，并将施加于该第二功率晶体管的栅极的一第二栅极电压调整至小于该接地电压。
4.如权利要求2所述的存储器漏电控制装置，其中该漏电控制单元更于该存储器电路处于待机状态时将施加于该第一功率晶体管的基底的一第一基底电压调整至大于该位元线电压，并将施加于该第二功率晶体管的基底的一第二基底电压调整至小于该接地电压。
5.如权利要求1所述的存储器漏电控制装置，其中该存储器电路包括一感测放大器。
6.如权利要求1所述的存储器漏电控制装置，其中该存储器电路包括一数据储存电路。
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