[发明专利]掺杂剂含量低的多晶硅块材有效
| 申请号： | 201310027483.X | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN103213988A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | H·沃赫纳;A·基林格;R·佩赫 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C30B29/06;G01N33/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 含量 多晶 硅块材 | ||
1.多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至50ppta，磷的浓度为1至50ppta。
2.根据权利要求1的多晶硅块材，其中在表面上，硼的浓度为1至30ppta。
3.根据权利要求1或2的多晶硅块材，其中在表面上，磷的浓度为1至25ppta。
4.根据权利要求1至3之一的多晶硅块材，其中在表面上，砷的浓度为0.01至10ppta。
5.根据权利要求1至4之一的多晶硅块材，其中在表面上，铝的浓度为0.01至10ppta。
6.根据权利要求1至5之一的多晶硅块材，其中在表面上，金属的浓度为10至200pptw。
7.根据权利要求1至6之一的多晶硅块材，其中在其表面上，Fe浓度为1至40pptw，Cr浓度为0.1至5pptw，Cu浓度为0.1至5pptw，Na浓度为1至30pptw，Ni浓度为0.1至5pptw，Ca浓度为0.1至10pptw，Ti浓度为0.1至10pptw，W浓度为0.1至10pptw，Zn浓度为0.1至10pptw。
8.根据权利要求7的多晶硅块材，其中在表面上，Fe浓度为1至20pptw。
9.根据权利要求1至8之一的多晶硅块材，其中在块体中掺杂剂以如下浓度存在：磷1至20ppta，硼1至10ppta，砷1至10ppta。
10.根据权利要求9的多晶硅块材，其中在块体中掺杂剂以如下浓度存在：磷1至10ppta，硼1至5ppta，砷1至5ppta。
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