[发明专利]布线衬底、发光器件、以及布线衬底的制造方法无效
申请号: | 201310027970.6 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103227273A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 村松茂次;清水浩;堀川泰爱 | 申请(专利权)人: | 新光电气工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/62;H01L25/075 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;李铭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 衬底 发光 器件 以及 制造 方法 | ||
本申请要求于2012年1月25日提交的日本专利申请No.2012-013243的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及布线衬底、发光器件、以及布线衬底的制造方法。
背景技术
在相关技术中,已经提出发光元件装配在衬底上的多种形状的发光器件。作为该种发光器件,已知布线层形成在于由金属制成的衬底上形成的绝缘层上、并且诸如发光二极管(LED)的发光元件装配在布线层上的结构(例如,参见JP-A-2003-092011)。
在此,在发光器件中,为了有效地使用由发光元件发射的光,在元件装配表面上形成具有高反射率的反射层。反射层形成得越高,来自发光元件的光的反射的程度具有提高的越多。然而,当反射层形成得高时,存在反射层和发光元件易于相互干扰(接触)的问题。
发明内容
本发明的示例实施例解决以上缺陷以及以上未描述的其他缺陷。然而,本发明不要求克服上述缺陷,并且从而本发明的示例实施例可能不会克服上述任何缺陷。
根据本发明的一个或多个示意性方面,提供一种布线衬底。布线衬底包括:散热片;绝缘层,其在散热片上;第一和第二布线图案,其在绝缘层上,以特定间隔相互分离;第一反射层,其包括绝缘层上的第一开口,用于覆盖第一和第二布线图案,其中第一和第二布线图案的一部分从第一开口露出,并且其中第一和第二布线图案的所述部分被限定为发光元件将被装配到的装配区;以及第二反射层,其在绝缘层上,其中第二反射层被插入第一和第二布线图案之间。第二反射层的厚度小于第一反射层的厚度。
根据本发明的一方面,可以实现抑制反射层和发光元件之间的干扰的效果。
本发明的其他方面和优点将从以下说明书、附图和权利要求显而易见。
附图说明
图1A是示出根据实施例的布线衬底的示意性平面图;
图1B是沿着图1A中所示的布线衬底的线A-A的示意性横截面图;
图2是示出根据实施例的布线图案和金属层的示意性平面图;
图3A是示出根据实施例的发光器件的示意性平面图;
图3B是沿着图3A中所示的发光器件的线B-B的示意性横截面图;
图4是示出根据实施例的布线衬底的制造方法的示意性平面图;
图5A至图5C是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图;
图5D是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性平面图,其中,图5A至图5C示出沿着图5D的线C-C位置的布线衬底的横截面图;
图6A至图6C是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图;
图6D是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性平面图,其中,图6A至图6C示出沿着图6D的线D-D位置的布线衬底的横截面图;
图7A是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图;
图7B是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性平面图,其中,图7A示出沿着图7B的线E-E位置的布线衬底的横截面图;
图8A是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图;
图8B和图8C是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性平面图;
图9A是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性平面图;
图9B是示出沿着图9A的线F-F位置的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图;
图9C是示出用于制造根据实施例的布线衬底的印网掩模的示意性平面图;
图10A是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性平面图;
图10B是示出用于制造根据实施例的布线衬底的印网掩模的示意性平面图;
图11A和图11B是示出根据实施例的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图,其中,图11A和图11B示出沿着图9A的线F-F位置的布线衬底的横截面图;
图11C和图11D是示出根据实施例的发光器件的制造步骤的示意性横截面图,其中,图11C和图11D示出沿着图3A的线B-B位置的发光器件的横截面图;
图12A是示出用于制造根据实施例的修改示例的布线衬底的印网掩模的示意性平面图;
图12B是示出根据修改示例的布线衬底的制造步骤的示意性横截面图,其中,图12B示出沿着图9A的线F-F位置的布线衬底的横截面图;
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