[发明专利]多层陶瓷电子部件及其制造方法有效
申请号: | 201310028071.8 | 申请日: | 2013-01-24 |
公开(公告)号: | CN103258644B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 丁海硕;李炳华;朴珉哲;蔡恩赫 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 金光军,刘奕晴 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 陶瓷 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层陶瓷电子部件,包括:
陶瓷本体,具有外部电极;以及
内部电极,在所述陶瓷本体内设置在陶瓷层之间,并包括:电容形成部分,通过重叠所述内部电极和相邻的内部电极而形成电容;以及引出部分,从所述电容形成部分的一部分延伸并且被引出到所述陶瓷本体的外部,
当所述外部电极被连接和延伸的方向被表示为宽度方向;所述内部电极被层压的方向被表示为厚度方向;并且垂直于所述宽度方向和所述厚度方向的方向被表示为长度方向时,所述陶瓷本体的宽度小于所述陶瓷本体的长度,
被层压的所述内部电极的数量是250个或更多个,
当所述陶瓷层的厚度用Td表示并且所述内部电极的厚度用Te表示时,0.5≤Te/Td≤2.0,以及
在所述陶瓷本体的沿宽度-厚度方向的横截面中,当所述陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分的厚度用Tm表示并且所述陶瓷本体的每个侧部的厚度用Ta表示时,0.9≤Ta/Tm≤0.97,
其中,所述引出部分每单位体积的密度大于所述电容形成部分每单位体积的密度。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件,其中,所述陶瓷本体的沿所述宽度方向的所述中心部分是在所述陶瓷本体的沿所述宽度方向的中心的两侧上在所述陶瓷本体的宽度的15%内的区段内。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件,其中,所述陶瓷本体的所述侧部是从所述陶瓷本体的沿所述宽度方向的每侧在所述陶瓷本体的宽度的10%内的区段。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件,其中,所述外部电极延伸到所述陶瓷本体的沿所述宽度方向彼此相对的侧表面上、以及延伸到与所述侧表面相邻的其它表面的部分上。
5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件,其中,所述陶瓷层的厚度是所述陶瓷层的设置在相邻的内部电极的所述电容形成部分之间的厚度。
6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件,其中,所述内部电极的厚度是所述内部电极的所述电容形成部分的厚度。
7.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子部件,其中,沿所述宽度-厚度方向的所述横截面位于所述陶瓷本体的沿所述长度方向的所述中心的两侧上在所述陶瓷本体的长度的40%内的区段内。
8.一种制造多层陶瓷电子部件的方法,所述方法包括:
通过层压250个或更多个内部电极层而制备长方体生基片,每个内部电极层均被插入在陶瓷层之间,所述长方体生基片的宽度小于所述长方体生基片的长度;
压缩所述生基片的沿宽度方向的侧部,从而使得被压缩部分的厚度与未被压缩部分的厚度的比是0.9-0.97;
烧结所述生基片;以及
在烧结后的基片的沿所述宽度方向的侧表面上形成外部电极,
其中,所述内部电极包括:电容形成部分,通过重叠所述内部电极和相邻的内部电极而形成电容;以及引出部分,从所述电容形成部分的一部分延伸并且被引出到所述陶瓷本体的外部,
其中,所述引出部分每单位体积的密度大于所述电容形成部分每单位体积的密度。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在所述生基片的所述制备步骤中,相邻的内部电极被分别暴露于所述生基片的相对表面。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,在所述压缩步骤中,沿所述内部电极的层压方向执行所述压缩。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,在所述外部电极的所述形成步骤中,将所述外部电极延伸到与沿所述宽度方向的所述侧表面相邻的其它表面的部分。
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